Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок
Приводятся результаты теоретических расчетов функции распределения темнового и светового потенциалов по поверхности проводящего полупроводникового диска (пленки) с четырьмя квадратно расположенными по его краям электрическими контактами. Найдена аналитическая связь выходного напряжения такого фотопр...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70599 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок / А.А. Клюканов, Э.А. Сенокосов, Д.Е. Богинский, В.В. Сорочан, Л.В. Фещенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 49-51. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862652576887996416 |
|---|---|
| author | Клюканов, А.А. Сенокосов, Э.А. Богинский, Д.Е. Сорочан, В.В. Фещенко, Л.В. |
| author_facet | Клюканов, А.А. Сенокосов, Э.А. Богинский, Д.Е. Сорочан, В.В. Фещенко, Л.В. |
| citation_txt | Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок / А.А. Клюканов, Э.А. Сенокосов, Д.Е. Богинский, В.В. Сорочан, Л.В. Фещенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 49-51. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Приводятся результаты теоретических расчетов функции распределения темнового и светового потенциалов по поверхности проводящего полупроводникового диска (пленки) с четырьмя квадратно расположенными по его краям электрическими контактами. Найдена аналитическая связь выходного напряжения такого фотоприемника с величиной тока, интенсивностью и координатами локальной засветки. Подтверждена возможность разработки на основе низкоомных фотопроводников нового класса позиционно-чувствительных приборов.
The outcomes of theoretical accounts of a cumulative distribution function of dark and of light potentials on a surface of a conducting semiconducting disk with a current and four electrical contacts which located squarly on its edges, is shown. The analytical dependence of output voltage of such photoreceiver from magnitude of a current, intensity and coordinates of a local exposure is found.
|
| first_indexed | 2025-12-01T22:44:58Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70599 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T22:44:58Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Клюканов, А.А. Сенокосов, Э.А. Богинский, Д.Е. Сорочан, В.В. Фещенко, Л.В. 2014-11-08T17:22:47Z 2014-11-08T17:22:47Z 2003 Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок / А.А. Клюканов, Э.А. Сенокосов, Д.Е. Богинский, В.В. Сорочан, Л.В. Фещенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 49-51. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70599 Приводятся результаты теоретических расчетов функции распределения темнового и светового потенциалов по поверхности проводящего полупроводникового диска (пленки) с четырьмя квадратно расположенными по его краям электрическими контактами. Найдена аналитическая связь выходного напряжения такого фотоприемника с величиной тока, интенсивностью и координатами локальной засветки. Подтверждена возможность разработки на основе низкоомных фотопроводников нового класса позиционно-чувствительных приборов. The outcomes of theoretical accounts of a cumulative distribution function of dark and of light potentials on a surface of a conducting semiconducting disk with a current and four electrical contacts which located squarly on its edges, is shown. The analytical dependence of output voltage of such photoreceiver from magnitude of a current, intensity and coordinates of a local exposure is found. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Датчики Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок Functional possibilities of photocells on the basis of low resistance semiconductor films Article published earlier |
| spellingShingle | Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок Клюканов, А.А. Сенокосов, Э.А. Богинский, Д.Е. Сорочан, В.В. Фещенко, Л.В. Датчики |
| title | Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок |
| title_alt | Functional possibilities of photocells on the basis of low resistance semiconductor films |
| title_full | Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок |
| title_fullStr | Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок |
| title_full_unstemmed | Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок |
| title_short | Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок |
| title_sort | функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок |
| topic | Датчики |
| topic_facet | Датчики |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70599 |
| work_keys_str_mv | AT klûkanovaa funkcionalʹnyevozmožnostifotopriemnikovnaosnovenizkoomnyhpoluprovodnikovyhplenok AT senokosovéa funkcionalʹnyevozmožnostifotopriemnikovnaosnovenizkoomnyhpoluprovodnikovyhplenok AT boginskiide funkcionalʹnyevozmožnostifotopriemnikovnaosnovenizkoomnyhpoluprovodnikovyhplenok AT soročanvv funkcionalʹnyevozmožnostifotopriemnikovnaosnovenizkoomnyhpoluprovodnikovyhplenok AT feŝenkolv funkcionalʹnyevozmožnostifotopriemnikovnaosnovenizkoomnyhpoluprovodnikovyhplenok AT klûkanovaa functionalpossibilitiesofphotocellsonthebasisoflowresistancesemiconductorfilms AT senokosovéa functionalpossibilitiesofphotocellsonthebasisoflowresistancesemiconductorfilms AT boginskiide functionalpossibilitiesofphotocellsonthebasisoflowresistancesemiconductorfilms AT soročanvv functionalpossibilitiesofphotocellsonthebasisoflowresistancesemiconductorfilms AT feŝenkolv functionalpossibilitiesofphotocellsonthebasisoflowresistancesemiconductorfilms |