Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэле...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70600 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862708202278223872 |
|---|---|
| author | Казаков, А.И. Андриянов, А.В. Миронов, В.С. Поляруш, О.В. |
| author_facet | Казаков, А.И. Андриянов, А.В. Миронов, В.С. Поляруш, О.В. |
| citation_txt | Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использовались для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO₂—Nd₂O₃.
The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO₂—Nd₂O₃, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results of experiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HHfO₂—Nd₂O₃.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:09:28Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70600 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:09:28Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Казаков, А.И. Андриянов, А.В. Миронов, В.С. Поляруш, О.В. 2014-11-08T17:24:47Z 2014-11-08T17:24:47Z 2003 Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70600 Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использовались для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO₂—Nd₂O₃. The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO₂—Nd₂O₃, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results of experiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HHfO₂—Nd₂O₃. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ The frequency dependence calculation of the HfO₂—Nd₂O₃ thin film dielectric parameters Article published earlier |
| spellingShingle | Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ Казаков, А.И. Андриянов, А.В. Миронов, В.С. Поляруш, О.В. Материалы электроники |
| title | Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ |
| title_alt | The frequency dependence calculation of the HfO₂—Nd₂O₃ thin film dielectric parameters |
| title_full | Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ |
| title_fullStr | Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ |
| title_full_unstemmed | Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ |
| title_short | Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ |
| title_sort | расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы hfo₂—nd₂o₃ |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70600 |
| work_keys_str_mv | AT kazakovai rasčetčastotnoizavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3 AT andriânovav rasčetčastotnoizavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3 AT mironovvs rasčetčastotnoizavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3 AT polârušov rasčetčastotnoizavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3 AT kazakovai thefrequencydependencecalculationofthehfo2nd2o3thinfilmdielectricparameters AT andriânovav thefrequencydependencecalculationofthehfo2nd2o3thinfilmdielectricparameters AT mironovvs thefrequencydependencecalculationofthehfo2nd2o3thinfilmdielectricparameters AT polârušov thefrequencydependencecalculationofthehfo2nd2o3thinfilmdielectricparameters |