Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃

Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэле...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2003
Hauptverfasser: Казаков, А.И., Андриянов, А.В., Миронов, В.С., Поляруш, О.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70600
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70600
record_format dspace
spelling Казаков, А.И.
Андриянов, А.В.
Миронов, В.С.
Поляруш, О.В.
2014-11-08T17:24:47Z
2014-11-08T17:24:47Z
2003
Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70600
Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использовались для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO₂—Nd₂O₃.
The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO₂—Nd₂O₃, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results of experiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HHfO₂—Nd₂O₃.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Материалы электроники
Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
The frequency dependence calculation of the HfO₂—Nd₂O₃ thin film dielectric parameters
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
spellingShingle Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
Казаков, А.И.
Андриянов, А.В.
Миронов, В.С.
Поляруш, О.В.
Материалы электроники
title_short Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
title_full Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
title_fullStr Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
title_full_unstemmed Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
title_sort расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы hfo₂—nd₂o₃
author Казаков, А.И.
Андриянов, А.В.
Миронов, В.С.
Поляруш, О.В.
author_facet Казаков, А.И.
Андриянов, А.В.
Миронов, В.С.
Поляруш, О.В.
topic Материалы электроники
topic_facet Материалы электроники
publishDate 2003
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt The frequency dependence calculation of the HfO₂—Nd₂O₃ thin film dielectric parameters
description Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использовались для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO₂—Nd₂O₃. The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO₂—Nd₂O₃, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results of experiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HHfO₂—Nd₂O₃.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70600
citation_txt Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kazakovai rasčetčastotnoizavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3
AT andriânovav rasčetčastotnoizavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3
AT mironovvs rasčetčastotnoizavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3
AT polârušov rasčetčastotnoizavisimostidiélektričeskihharakteristiktonkihplenoksistemyhfo2nd2o3
AT kazakovai thefrequencydependencecalculationofthehfo2nd2o3thinfilmdielectricparameters
AT andriânovav thefrequencydependencecalculationofthehfo2nd2o3thinfilmdielectricparameters
AT mironovvs thefrequencydependencecalculationofthehfo2nd2o3thinfilmdielectricparameters
AT polârušov thefrequencydependencecalculationofthehfo2nd2o3thinfilmdielectricparameters
first_indexed 2025-12-07T17:09:28Z
last_indexed 2025-12-07T17:09:28Z
_version_ 1850870195665502208