Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Казаков, А.И., Андриянов, А.В., Миронов, В.С., Поляруш, О.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70600
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэле...