Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2003
• 1. Verfasser: Мамедов, А.К.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Schlagworte: Проектирование. Конструирование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70604
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника / А.К. Мамедов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 18-20. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки из фталоцианина. Указана перспективность использования подобных транзисторов в качестве переключающих элементов в устройствах отображения информации. Mathematical model of thin-film transistor with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor films are proposed. Using this models general transistor's characteristics and parameters were calculated. The main component of the transistor is the organic phthalocyanine film. It has been stressed, that similar transistors as switching elements are very perspective for the indicating information devices.