Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки из фталоцианина. Указана перспективность использова...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70604 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника / А.К. Мамедов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 18-20. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862737432379654144 |
|---|---|
| author | Мамедов, А.К. |
| author_facet | Мамедов, А.К. |
| citation_txt | Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника / А.К. Мамедов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 18-20. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки из фталоцианина. Указана перспективность использования подобных транзисторов в качестве переключающих элементов в устройствах отображения информации.
Mathematical model of thin-film transistor with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor films are proposed. Using this models general transistor's characteristics and parameters were calculated. The main component of the transistor is the organic phthalocyanine film. It has been stressed, that similar transistors as switching elements are very perspective for the indicating information devices.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:59:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70604 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:59:31Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мамедов, А.К. 2014-11-09T07:15:40Z 2014-11-09T07:15:40Z 2003 Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника / А.К. Мамедов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 18-20. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70604 Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки из фталоцианина. Указана перспективность использования подобных транзисторов в качестве переключающих элементов в устройствах отображения информации. Mathematical model of thin-film transistor with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor films are proposed. Using this models general transistor's characteristics and parameters were calculated. The main component of the transistor is the organic phthalocyanine film. It has been stressed, that similar transistors as switching elements are very perspective for the indicating information devices. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Проектирование. Конструирование Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника Calculation of thin-film transistors with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor Article published earlier |
| spellingShingle | Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника Мамедов, А.К. Проектирование. Конструирование |
| title | Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника |
| title_alt | Calculation of thin-film transistors with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor |
| title_full | Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника |
| title_fullStr | Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника |
| title_full_unstemmed | Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника |
| title_short | Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника |
| title_sort | расчет тонкопленочных транзисторов с затвором шоттки на основе аморфного полупроводника |
| topic | Проектирование. Конструирование |
| topic_facet | Проектирование. Конструирование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70604 |
| work_keys_str_mv | AT mamedovak rasčettonkoplenočnyhtranzistorovszatvoromšottkinaosnoveamorfnogopoluprovodnika AT mamedovak calculationofthinfilmtransistorswithschottkysgateonbasisofamorphoussemiconductor |