Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки из фталоцианина. Указана перспективность использова...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70604 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника / А.К. Мамедов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 18-20. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70604 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Мамедов, А.К. 2014-11-09T07:15:40Z 2014-11-09T07:15:40Z 2003 Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника / А.К. Мамедов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 18-20. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70604 Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки из фталоцианина. Указана перспективность использования подобных транзисторов в качестве переключающих элементов в устройствах отображения информации. Mathematical model of thin-film transistor with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor films are proposed. Using this models general transistor's characteristics and parameters were calculated. The main component of the transistor is the organic phthalocyanine film. It has been stressed, that similar transistors as switching elements are very perspective for the indicating information devices. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Проектирование. Конструирование Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника Calculation of thin-film transistors with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника |
| spellingShingle |
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника Мамедов, А.К. Проектирование. Конструирование |
| title_short |
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника |
| title_full |
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника |
| title_fullStr |
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника |
| title_full_unstemmed |
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника |
| title_sort |
расчет тонкопленочных транзисторов с затвором шоттки на основе аморфного полупроводника |
| author |
Мамедов, А.К. |
| author_facet |
Мамедов, А.К. |
| topic |
Проектирование. Конструирование |
| topic_facet |
Проектирование. Конструирование |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Calculation of thin-film transistors with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor |
| description |
Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки из фталоцианина. Указана перспективность использования подобных транзисторов в качестве переключающих элементов в устройствах отображения информации.
Mathematical model of thin-film transistor with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor films are proposed. Using this models general transistor's characteristics and parameters were calculated. The main component of the transistor is the organic phthalocyanine film. It has been stressed, that similar transistors as switching elements are very perspective for the indicating information devices.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70604 |
| citation_txt |
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника / А.К. Мамедов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 18-20. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT mamedovak rasčettonkoplenočnyhtranzistorovszatvoromšottkinaosnoveamorfnogopoluprovodnika AT mamedovak calculationofthinfilmtransistorswithschottkysgateonbasisofamorphoussemiconductor |
| first_indexed |
2025-12-07T19:59:31Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:59:31Z |
| _version_ |
1850880894590517248 |