Оценка технологического процесса изготовления СБИС по стабильности элементов ее структуры

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Вантеев, А.М., Коробов, А.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Schlagworte: Технология производства
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70609
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Оценка технологического процесса изготовления СБИС по стабильности элементов ее структуры / А.М. Вантеев, А.И. Коробов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 33-35. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Применяемый в производстве СБИС метод тестовых схем предлагается дополнить методикой определения нестабильных во времени элементов физической структуры изделия с использованием модели деградационных процессов. Показана возможность проведения ускоренных испытаний на элементах структуры. Приведены экспериментальные результаты, демонстрирующие возможность выявить элементы с нестабильными во времени характеристиками на этапе производства пластин с кристаллами СБИС. Broad used in production of GSI the method of the test schemes is offered to be supplemented by a technique of definition unstable units in of physical frame in time. The characteristics of potential instability of units are offered for determining by using a model of degradation processes. Mechanisms of degradation and their models are adduced. The capability of reduction accelerated tests on these units is demonstrated. The outcomes results, demonstrating capability to reveal units with unstable in time by the characteristics on a production phase of slices with superchips are adduced.