Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2003
• Автори: Григорьев, Н.Н., Кравецкий, М.Ю., Пащенко, Г.А., Сыпко, С.А., Фомин, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Теми: Технология производства
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70610
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников / Н.Н. Григорьев, М.Ю. Кравецкий, Г.А. Пащенко, С.А. Сыпко, А.В. Фомин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 36-40. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Разработана физическая модель операций бесконтактного химико-механического полирования и химической резки. Получены аналитические выражения, связывающие геометрию образованной поверхности и скорость обработки с физическими параметрами протекающих процессов. Это позволяет использовать результаты работы при разработке травящих растворов и выборе оптимальных технологических режимов операций бесконтактного безабразивного передела слитков для получения полупроводниковых подложек. The physical model for the non-contact operations of chemo-mechanical polishing and chemical cutting which are used in a process engineering of manufacture of semiconductor substructures was developed The analytical expressions which are connecting geometry of a formed surface and a velocity of handling to physical parameters of flowing past processes was obtained. It was established that a macro-relief of the treated surface was depended only on a speed of relative moving of the tool and a treated specimen, a distance between the pad and the specimen and a diffusion coefficient of active component in etching solution. The velocity of shaping essentially depends on concentration of an active component of an etchant, chemical reaction, physical properties of substance of the sample and etchant. The theoretical and experimental dependencies was revealed the potentially large reserves of a raise of a velocity polishing and chemical cutting. The comparison of experimental dependencies of treated samples InSb, HgCdTe with theoretical expressions has shown their qualitative and good quantitative co-ordination. It is allows to use outcomes of work by development an etchant and choice of optimum technological conditions for the operations of non-contact treatment of ingots for manufacture of semiconductor substructures.