Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия

Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2003
Main Authors: Ковалюк, З.Д., Махний, В.П., Янчук, А.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70612
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия / З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70612
record_format dspace
spelling Ковалюк, З.Д.
Махний, В.П.
Янчук, А.И.
2014-11-09T07:33:50Z
2014-11-09T07:33:50Z
2003
Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия / З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70612
Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры диодов, а также возможные пути их улучшения.
The forming mechanisms of dark and light properties straightening structures with different type based on the indium and gallium monoselenides were considered.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Оптоэлектроника
Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
Photodiodes based on indium and gallium monoselenides
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
spellingShingle Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
Ковалюк, З.Д.
Махний, В.П.
Янчук, А.И.
Оптоэлектроника
title_short Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
title_full Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
title_fullStr Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
title_full_unstemmed Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
title_sort фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
author Ковалюк, З.Д.
Махний, В.П.
Янчук, А.И.
author_facet Ковалюк, З.Д.
Махний, В.П.
Янчук, А.И.
topic Оптоэлектроника
topic_facet Оптоэлектроника
publishDate 2003
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Photodiodes based on indium and gallium monoselenides
description Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры диодов, а также возможные пути их улучшения. The forming mechanisms of dark and light properties straightening structures with different type based on the indium and gallium monoselenides were considered.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70612
citation_txt Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия / З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kovalûkzd fotodiodynaosnovemonoselenidovindiâigalliâ
AT mahniivp fotodiodynaosnovemonoselenidovindiâigalliâ
AT ânčukai fotodiodynaosnovemonoselenidovindiâigalliâ
AT kovalûkzd photodiodesbasedonindiumandgalliummonoselenides
AT mahniivp photodiodesbasedonindiumandgalliummonoselenides
AT ânčukai photodiodesbasedonindiumandgalliummonoselenides
first_indexed 2025-12-07T21:07:52Z
last_indexed 2025-12-07T21:07:52Z
_version_ 1850885194293182464