Зображення обкладинки

Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия

Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2003
Автори:	Ковалюк, З.Д., Махний, В.П., Янчук, А.И.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Теми:	Оптоэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70612
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия / З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
за авторством: Терлецкая, Л.Л., та інші
Опубліковано: (2003)

Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2003)

Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм.
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
за авторством: Корнейчук, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Оптико-электронный дальномер малых дистанций для динамических систем
за авторством: Ваксман, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2003)

Область повышенных шумов преобразования в фоторезисторах
за авторством: Головко, А.Г.
Опубліковано: (2003)

Радиационный анизотропный оптикотермоэлемент с боковым термостатированием
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Синтез гексаметилдисилазанатов алюминия, галлия, индия
за авторством: Мазуренко, Е.А., та інші
Опубліковано: (2000)

Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия
за авторством: Клепикова, А.С., та інші
Опубліковано: (2017)

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
за авторством: Кирилаш, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2001)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)

Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
за авторством: Krukovsky, S. I.
Опубліковано: (2026)

Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния
за авторством: Пироженко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Оптические константы бромида индия
за авторством: Колинько, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Яцуненко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние высокого гидростатического давления на кинетические свойства индия
за авторством: Орлов, А.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Кинетика и механизм взаимодействия сплавов на основе алюминия, галлия и таллия с водой
за авторством: Козин, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (1984)

Синтез и спектры комбинациопного рассеяния моногалогснидов индия
за авторством: Волков, С.В., та інші
Опубліковано: (1983)

Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
за авторством: Дудин, С.В.
Опубліковано: (2006)

О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
за авторством: Сычикова, Я.А.
Опубліковано: (2010)

Китай и Индия: особенности стратегии догоняющего развития
за авторством: Кулиш, Е.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние резонансного электрон-фононного взаимодействия на электронный спектр вольфрама и галлия
за авторством: Бурма, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2012)

Обзор мирового рынка арсенида галлия
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Формирование наноструктур оксид никеля—оксид индия методом CVD
за авторством: Герасимчук, А.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2010)

Изучение кислотности приэлектродных слоев при электроосаждении индия
за авторством: Козин, В.Ф., та інші
Опубліковано: (1983)

Смачивание нанесенных на кварцевое стекло и алюминиевый сплав нанопокрытий Cu и Ti—Cu расплавами олова и индия
за авторством: Красовский, В.П., та інші
Опубліковано: (2019)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)

Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)