Buchumschlag

Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия

Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2003
ISSN:	2225-5818
Hauptverfasser:	Ковалюк, З.Д., Махний, В.П., Янчук, А.И.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Schlagworte:	Оптоэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70612
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия / З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
von: Kovaliuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
von: Терлецкая, Л.Л., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм.
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
von: Корнейчук, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Оптико-электронный дальномер малых дистанций для динамических систем
von: Ваксман, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Область повышенных шумов преобразования в фоторезисторах
von: Головко, А.Г.
Veröffentlicht: (2003)

Радиационный анизотропный оптикотермоэлемент с боковым термостатированием
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Синтез гексаметилдисилазанатов алюминия, галлия, индия
von: Мазуренко, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия
von: Клепикова, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
von: Krukovsky, S. I.
Veröffentlicht: (2026)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)

Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния
von: Пироженко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Оптические константы бромида индия
von: Колинько, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние высокого гидростатического давления на кинетические свойства индия
von: Орлов, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Кинетика и механизм взаимодействия сплавов на основе алюминия, галлия и таллия с водой
von: Козин, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (1984)

Синтез и спектры комбинациопного рассеяния моногалогснидов индия
von: Волков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (1983)

Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
von: Дудин, С.В.
Veröffentlicht: (2006)

О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2010)

Китай и Индия: особенности стратегии догоняющего развития
von: Кулиш, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние резонансного электрон-фононного взаимодействия на электронный спектр вольфрама и галлия
von: Бурма, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
von: Terletskaya, L. L., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Формирование наноструктур оксид никеля—оксид индия методом CVD
von: Герасимчук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Смачивание нанесенных на кварцевое стекло и алюминиевый сплав нанопокрытий Cu и Ti—Cu расплавами олова и индия
von: Красовский, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Изучение кислотности приэлектродных слоев при электроосаждении индия
von: Козин, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (1983)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2001)