Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спек...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70615 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862667311695003648 |
|---|---|
| author | Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. |
| author_facet | Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. |
| citation_txt | Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур.
The comparative analysis of the photoluminescence spectra of the n-GaAs heteroepitaxial layers and spectral characteristics of the p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺(GaAs)-structures are investigated. The n-GaAs layers on the Si-base were grown by the method of liquid-phase epitaxy. The complete correspondence of the maxima of these spectra were obtained. This fact with combination high energetically parameters of the light-emitter and photodetector proves the possibility of the creating of the integral optron on the base heterostructures, which were investigated.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:21:20Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70615 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:21:20Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. 2014-11-09T07:42:33Z 2014-11-09T07:42:33Z 2003 Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70615 Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур. The comparative analysis of the photoluminescence spectra of the n-GaAs heteroepitaxial layers and spectral characteristics of the p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺(GaAs)-structures are investigated. The n-GaAs layers on the Si-base were grown by the method of liquid-phase epitaxy. The complete correspondence of the maxima of these spectra were obtained. This fact with combination high energetically parameters of the light-emitter and photodetector proves the possibility of the creating of the integral optron on the base heterostructures, which were investigated. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Оптоэлектроника Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов The structure on the base of silicon-gallium arsenide heterojunction for integral optrons Article published earlier |
| spellingShingle | Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. Оптоэлектроника |
| title | Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_alt | The structure on the base of silicon-gallium arsenide heterojunction for integral optrons |
| title_full | Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_fullStr | Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_full_unstemmed | Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_short | Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_sort | структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| topic | Оптоэлектроника |
| topic_facet | Оптоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70615 |
| work_keys_str_mv | AT terleckaâll strukturynaosnovegeteroperehodakremniiarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov AT kaliničenkolf strukturynaosnovegeteroperehodakremniiarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov AT golubcovvv strukturynaosnovegeteroperehodakremniiarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov AT terleckaâll thestructureonthebaseofsilicongalliumarsenideheterojunctionforintegraloptrons AT kaliničenkolf thestructureonthebaseofsilicongalliumarsenideheterojunctionforintegraloptrons AT golubcovvv thestructureonthebaseofsilicongalliumarsenideheterojunctionforintegraloptrons |