Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спек...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70615 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70615 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. 2014-11-09T07:42:33Z 2014-11-09T07:42:33Z 2003 Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70615 Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур. The comparative analysis of the photoluminescence spectra of the n-GaAs heteroepitaxial layers and spectral characteristics of the p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺(GaAs)-structures are investigated. The n-GaAs layers on the Si-base were grown by the method of liquid-phase epitaxy. The complete correspondence of the maxima of these spectra were obtained. This fact with combination high energetically parameters of the light-emitter and photodetector proves the possibility of the creating of the integral optron on the base heterostructures, which were investigated. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Оптоэлектроника Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов The structure on the base of silicon-gallium arsenide heterojunction for integral optrons Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| spellingShingle |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. Оптоэлектроника |
| title_short |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_full |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_fullStr |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_full_unstemmed |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| title_sort |
структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов |
| author |
Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. |
| author_facet |
Терлецкая, Л.Л. Калиниченко, Л.Ф. Голубцов, В.В. |
| topic |
Оптоэлектроника |
| topic_facet |
Оптоэлектроника |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
The structure on the base of silicon-gallium arsenide heterojunction for integral optrons |
| description |
Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур.
The comparative analysis of the photoluminescence spectra of the n-GaAs heteroepitaxial layers and spectral characteristics of the p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺(GaAs)-structures are investigated. The n-GaAs layers on the Si-base were grown by the method of liquid-phase epitaxy. The complete correspondence of the maxima of these spectra were obtained. This fact with combination high energetically parameters of the light-emitter and photodetector proves the possibility of the creating of the integral optron on the base heterostructures, which were investigated.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70615 |
| citation_txt |
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT terleckaâll strukturynaosnovegeteroperehodakremniiarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov AT kaliničenkolf strukturynaosnovegeteroperehodakremniiarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov AT golubcovvv strukturynaosnovegeteroperehodakremniiarsenidgalliâdlâintegralʹnyhoptronov AT terleckaâll thestructureonthebaseofsilicongalliumarsenideheterojunctionforintegraloptrons AT kaliničenkolf thestructureonthebaseofsilicongalliumarsenideheterojunctionforintegraloptrons AT golubcovvv thestructureonthebaseofsilicongalliumarsenideheterojunctionforintegraloptrons |
| first_indexed |
2025-12-07T15:21:20Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:21:20Z |
| _version_ |
1850863392763412480 |