Buchumschlag

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спек...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Терлецкая, Л.Л., Калиниченко, Л.Ф., Голубцов, В.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Schlagworte:	Оптоэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70615
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм.
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
von: Корнейчук, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Радиационный анизотропный оптикотермоэлемент с боковым термостатированием
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Область повышенных шумов преобразования в фоторезисторах
von: Головко, А.Г.
Veröffentlicht: (2003)

Сравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
von: Швец, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Cравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
von: Shvets, O. H., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния
von: Пироженко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Солнечный кремний
von: Шаповалов, В.А.
Veröffentlicht: (2014)

Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
von: Гончарук, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Синтез гексаметилдисилазанатов алюминия, галлия, индия
von: Мазуренко, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
von: Дудин, С.В.
Veröffentlicht: (2006)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Зависимость скорости фильтрации галлия в щелочных растворах от его физико-химических свойств
von: Козин, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
von: Сапаев, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Проекционно-итерационный алгоритм решения некорректных интегральных уравнений Вольтерра
von: Гарт, Л.Л.
Veröffentlicht: (2012)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии
von: Долголенко, А.П.
Veröffentlicht: (2012)

Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
von: Иващук, А.В.
Veröffentlicht: (2000)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2001)

DLTS - спектроскопия водородосодержащих дефектовв облученном n-кремнии
von: Комаров, Б.А.
Veröffentlicht: (2001)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Ерохов, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)