Зображення обкладинки

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спек...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2003
Автори:	Терлецкая, Л.Л., Калиниченко, Л.Ф., Голубцов, В.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Теми:	Оптоэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70615
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2003)

Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Оптико-электронный дальномер малых дистанций для динамических систем
за авторством: Ваксман, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2003)

Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм.
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
за авторством: Корнейчук, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Радиационный анизотропный оптикотермоэлемент с боковым термостатированием
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2003)

Область повышенных шумов преобразования в фоторезисторах
за авторством: Головко, А.Г.
Опубліковано: (2003)

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)

Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
за авторством: Krukovsky, S. I.
Опубліковано: (2026)

Газочувствительные структуры "силицид кобальта – пористый кремний – кремний"
за авторством: Belousov, I. V., та інші
Опубліковано: (2006)

Сравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
за авторством: Швец, А.Г., та інші
Опубліковано: (2008)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Cравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
за авторством: Shvets, O. H., та інші
Опубліковано: (2008)

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
за авторством: Кирилаш, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)

Кинетика и механизм взаимодействия сплавов на основе алюминия, галлия и таллия с водой
за авторством: Козин, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (1984)

Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
за авторством: Гончарук, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния
за авторством: Пироженко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Солнечный кремний
за авторством: Шаповалов, В.А.
Опубліковано: (2014)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Синтез гексаметилдисилазанатов алюминия, галлия, индия
за авторством: Мазуренко, Е.А., та інші
Опубліковано: (2000)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Яцуненко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2015)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
за авторством: Дудин, С.В.
Опубліковано: (2006)

Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Обзор мирового рынка арсенида галлия
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)

Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu₂S
за авторством: Борщак, В.А.
Опубліковано: (2012)

Зависимость скорости фильтрации галлия в щелочных растворах от его физико-химических свойств
за авторством: Козин, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)

Синтез и свойства кремний-, фосфор-, алюминийсодержащих полиуретанов
за авторством: Лебедев, Е.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Проекционно-итерационный алгоритм решения некорректных интегральных уравнений Вольтерра
за авторством: Гарт, Л.Л.
Опубліковано: (2012)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)