Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2003
• Автори: Терлецкая, Л.Л., Калиниченко, Л.Ф., Голубцов, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Теми: Оптоэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70615
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов / Л.Л. Терлецкая, Л.Ф. Калиниченко, В.В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 51-53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спек...