Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p—i—n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор. The photoreception devic...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70616 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором / В.И. Корнейчук, О.А. Рогалевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 54-55. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p—i—n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор.
The photoreception devices (PRD) of pulse infrared signals are experimentally investigated. The PRD contains of siliicon p—i—n-photodiode and operational amplifier. The "artificial" resistor is included in a circuit of feedback operational amplifier and having smaller temperature of noise, than usual resistor.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |