Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором

Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p—i—n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор. The photoreception devic...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2003
Hauptverfasser: Корнейчук, В.И., Рогалевич, О.А.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70616
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором / В.И. Корнейчук, О.А. Рогалевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 54-55. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862570648700715008
author Корнейчук, В.И.
Рогалевич, О.А.
author_facet Корнейчук, В.И.
Рогалевич, О.А.
citation_txt Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором / В.И. Корнейчук, О.А. Рогалевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 54-55. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p—i—n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор. The photoreception devices (PRD) of pulse infrared signals are experimentally investigated. The PRD contains of siliicon p—i—n-photodiode and operational amplifier. The "artificial" resistor is included in a circuit of feedback operational amplifier and having smaller temperature of noise, than usual resistor.
first_indexed 2025-11-26T02:45:03Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70616
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-11-26T02:45:03Z
publishDate 2003
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Корнейчук, В.И.
Рогалевич, О.А.
2014-11-09T07:44:08Z
2014-11-09T07:44:08Z
2003
Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором / В.И. Корнейчук, О.А. Рогалевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 54-55. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70616
Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p—i—n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор.
The photoreception devices (PRD) of pulse infrared signals are experimentally investigated. The PRD contains of siliicon p—i—n-photodiode and operational amplifier. The "artificial" resistor is included in a circuit of feedback operational amplifier and having smaller temperature of noise, than usual resistor.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Оптоэлектроника
Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
Research microelectronic photoreception of devices with the artificial resistor
Article
published earlier
spellingShingle Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
Корнейчук, В.И.
Рогалевич, О.А.
Оптоэлектроника
title Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
title_alt Research microelectronic photoreception of devices with the artificial resistor
title_full Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
title_fullStr Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
title_full_unstemmed Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
title_short Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
title_sort исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
topic Оптоэлектроника
topic_facet Оптоэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70616
work_keys_str_mv AT korneičukvi issledovaniemikroélektronnyhfotopriemnyhustroistvsiskusstvennymrezistorom
AT rogalevičoa issledovaniemikroélektronnyhfotopriemnyhustroistvsiskusstvennymrezistorom
AT korneičukvi researchmicroelectronicphotoreceptionofdeviceswiththeartificialresistor
AT rogalevičoa researchmicroelectronicphotoreceptionofdeviceswiththeartificialresistor