Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2003
• Автори: Храмов, Е.Ф., Прохоров, Г.В., Пелихатый, Н.М., Гнап, А.К.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70618
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами м/ Е.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров, Н.М. Пелихатый, А.К. Гнап // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники. This paper deals with finding out the causes of appearing nonlinearities of the integral circuits components. It has been shown that in the interaction with γ - quantum's recrystallization tares place in semiconductors. The recrystallized areas are among the causes which produce the signal deformation.