Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационн...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70618 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами м/ Е.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров, Н.М. Пелихатый, А.К. Гнап // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862561479995162624 |
|---|---|
| author | Храмов, Е.Ф. Прохоров, Г.В. Пелихатый, Н.М. Гнап, А.К. |
| author_facet | Храмов, Е.Ф. Прохоров, Г.В. Пелихатый, Н.М. Гнап, А.К. |
| citation_txt | Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами м/ Е.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров, Н.М. Пелихатый, А.К. Гнап // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники.
This paper deals with finding out the causes of appearing nonlinearities of the integral circuits components. It has been shown that in the interaction with γ - quantum's recrystallization tares place in semiconductors. The recrystallized areas are among the causes which produce the signal deformation.
|
| first_indexed | 2025-11-25T23:26:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70618 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T23:26:40Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Храмов, Е.Ф. Прохоров, Г.В. Пелихатый, Н.М. Гнап, А.К. 2014-11-09T07:49:00Z 2014-11-09T07:49:00Z 2003 Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами м/ Е.Ф. Храмов, Г.В. Прохоров, Н.М. Пелихатый, А.К. Гнап // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70618 Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники. This paper deals with finding out the causes of appearing nonlinearities of the integral circuits components. It has been shown that in the interaction with γ - quantum's recrystallization tares place in semiconductors. The recrystallized areas are among the causes which produce the signal deformation. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами Explosive crystallization thin films of semiconductors at γ-quantums irradiation Article published earlier |
| spellingShingle | Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами Храмов, Е.Ф. Прохоров, Г.В. Пелихатый, Н.М. Гнап, А.К. Материалы электроники |
| title | Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| title_alt | Explosive crystallization thin films of semiconductors at γ-quantums irradiation |
| title_full | Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| title_fullStr | Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| title_full_unstemmed | Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| title_short | Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| title_sort | взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70618 |
| work_keys_str_mv | AT hramovef vzryvnaâkristallizaciâtonkihplenokpoluprovodnikovprioblučeniiykvantami AT prohorovgv vzryvnaâkristallizaciâtonkihplenokpoluprovodnikovprioblučeniiykvantami AT pelihatyinm vzryvnaâkristallizaciâtonkihplenokpoluprovodnikovprioblučeniiykvantami AT gnapak vzryvnaâkristallizaciâtonkihplenokpoluprovodnikovprioblučeniiykvantami AT hramovef explosivecrystallizationthinfilmsofsemiconductorsatγquantumsirradiation AT prohorovgv explosivecrystallizationthinfilmsofsemiconductorsatγquantumsirradiation AT pelihatyinm explosivecrystallizationthinfilmsofsemiconductorsatγquantumsirradiation AT gnapak explosivecrystallizationthinfilmsofsemiconductorsatγquantumsirradiation |