Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения

Разработана и изготовлена опытная партия селективных и широкополосных сенсоров ультрафиолетового излучения нового поколения на основе слоистых гетероструктур в системе широкозонных полупроводников А²В⁶ и их твердых растворов. Созданные сенсоры не имеют промышленных аналогов в мире. Их основной отлич...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2003
Автори: Колежук, К.В., Комащенко, В.Н., Шереметова, Г.И., Коржинский, Ф.И., Чмиль, В.М.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70640
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ф.И. Коржинский, В.М. Чмиль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 51-52. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862613829157912576
author Колежук, К.В.
Комащенко, В.Н.
Шереметова, Г.И.
Коржинский, Ф.И.
Чмиль, В.М.
author_facet Колежук, К.В.
Комащенко, В.Н.
Шереметова, Г.И.
Коржинский, Ф.И.
Чмиль, В.М.
citation_txt Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ф.И. Коржинский, В.М. Чмиль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 51-52. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Разработана и изготовлена опытная партия селективных и широкополосных сенсоров ультрафиолетового излучения нового поколения на основе слоистых гетероструктур в системе широкозонных полупроводников А²В⁶ и их твердых растворов. Созданные сенсоры не имеют промышленных аналогов в мире. Их основной отличительной особенностью является нечувствительность к видимому свету при отсутствии специальных оптических фильтров для корректирования спектральной характеристики. Предназначены для мониторинга УФ-излучения. We developed and fabricated a pilot run of selective and broad-band new-generation sensors of ultraviolet radiation on the basis of layered heterostructures made of wide-gap AIIBVI semiconductors and their solid solutions. These sensors have no commercial analogs in the world. Their distinctive feature is insensitivity to the visible light without special optical filters for correction of spectral curve. The sensors are intended for monitoring of ultraviolet radiation.
first_indexed 2025-11-29T08:32:56Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70640
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-11-29T08:32:56Z
publishDate 2003
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Колежук, К.В.
Комащенко, В.Н.
Шереметова, Г.И.
Коржинский, Ф.И.
Чмиль, В.М.
2014-11-09T11:37:22Z
2014-11-09T11:37:22Z
2003
Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ф.И. Коржинский, В.М. Чмиль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 51-52. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70640
621.315.592+621.384.2
Разработана и изготовлена опытная партия селективных и широкополосных сенсоров ультрафиолетового излучения нового поколения на основе слоистых гетероструктур в системе широкозонных полупроводников А²В⁶ и их твердых растворов. Созданные сенсоры не имеют промышленных аналогов в мире. Их основной отличительной особенностью является нечувствительность к видимому свету при отсутствии специальных оптических фильтров для корректирования спектральной характеристики. Предназначены для мониторинга УФ-излучения.
We developed and fabricated a pilot run of selective and broad-band new-generation sensors of ultraviolet radiation on the basis of layered heterostructures made of wide-gap AIIBVI semiconductors and their solid solutions. These sensors have no commercial analogs in the world. Their distinctive feature is insensitivity to the visible light without special optical filters for correction of spectral curve. The sensors are intended for monitoring of ultraviolet radiation.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
New generation of photodetectors for ultraviolet radiation
Article
published earlier
spellingShingle Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
Колежук, К.В.
Комащенко, В.Н.
Шереметова, Г.И.
Коржинский, Ф.И.
Чмиль, В.М.
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
title Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
title_alt New generation of photodetectors for ultraviolet radiation
title_full Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
title_fullStr Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
title_full_unstemmed Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
title_short Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
title_sort новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
topic Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
topic_facet Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70640
work_keys_str_mv AT koležukkv novoepokoleniefotopriemnikovulʹtrafioletovogoizlučeniâ
AT komaŝenkovn novoepokoleniefotopriemnikovulʹtrafioletovogoizlučeniâ
AT šeremetovagi novoepokoleniefotopriemnikovulʹtrafioletovogoizlučeniâ
AT koržinskiifi novoepokoleniefotopriemnikovulʹtrafioletovogoizlučeniâ
AT čmilʹvm novoepokoleniefotopriemnikovulʹtrafioletovogoizlučeniâ
AT koležukkv newgenerationofphotodetectorsforultravioletradiation
AT komaŝenkovn newgenerationofphotodetectorsforultravioletradiation
AT šeremetovagi newgenerationofphotodetectorsforultravioletradiation
AT koržinskiifi newgenerationofphotodetectorsforultravioletradiation
AT čmilʹvm newgenerationofphotodetectorsforultravioletradiation