Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Босый, В.И., Иващук, А.В., Ковальчук, В.Н., Семашко, Е.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Schlagworte: Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70641
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников / В.И. Босый, А.В. Иващук, В.Н. Ковальчук, Е.М. Семашко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 53-58. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты исследований влияния подложки на характеристики приборов. Показано, что НЕМТ на основе гетероструктур AlGaN/GaN могут обеспечивать 5—10-кратное увеличение удельной мощности (≥10 Вт/мм) при кпд до 60%, увеличение рабочих температур, повышение надежности по сравнению с приборами на основе GaAs. The review of the outcomes, published per last years, on creation of UHF power transistors on AlGaN/GaN heterostructures is submitted. The problems of a design and technology of manufacturing of the transistors as well as an influence of a substrate on the characteristics of devices are surveyed. Is exhibited, that AlGaN/GaN НЕМТs can provide (5-10) multiple increases of power density (≥10 W/mm) at an efficiency up to 60 %, increase of operation temperatures, reliability increasing as compared to GaAs devices.