Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты исследований влияния подложки на характеристики приборов. Показано, что НЕМТ...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70641 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников / В.И. Босый, А.В. Иващук, В.Н. Ковальчук, Е.М. Семашко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 53-58. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862699565157711872 |
|---|---|
| author | Босый, В.И. Иващук, А.В. Ковальчук, В.Н. Семашко, Е.М. |
| author_facet | Босый, В.И. Иващук, А.В. Ковальчук, В.Н. Семашко, Е.М. |
| citation_txt | Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников / В.И. Босый, А.В. Иващук, В.Н. Ковальчук, Е.М. Семашко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 53-58. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты исследований влияния подложки на характеристики приборов. Показано, что НЕМТ на основе гетероструктур AlGaN/GaN могут обеспечивать 5—10-кратное увеличение удельной мощности (≥10 Вт/мм) при кпд до 60%, увеличение рабочих температур, повышение надежности по сравнению с приборами на основе GaAs.
The review of the outcomes, published per last years, on creation of UHF power transistors on AlGaN/GaN heterostructures is submitted. The problems of a design and technology of manufacturing of the transistors as well as an influence of a substrate on the characteristics of devices are surveyed. Is exhibited, that AlGaN/GaN НЕМТs can provide (5-10) multiple increases of power density (≥10 W/mm) at an efficiency up to 60 %, increase of operation temperatures, reliability increasing as compared to GaAs devices.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:35:36Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70641 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:35:36Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Босый, В.И. Иващук, А.В. Ковальчук, В.Н. Семашко, Е.М. 2014-11-09T11:39:17Z 2014-11-09T11:39:17Z 2003 Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников / В.И. Босый, А.В. Иващук, В.Н. Ковальчук, Е.М. Семашко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 53-58. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70641 621.382.323 Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты исследований влияния подложки на характеристики приборов. Показано, что НЕМТ на основе гетероструктур AlGaN/GaN могут обеспечивать 5—10-кратное увеличение удельной мощности (≥10 Вт/мм) при кпд до 60%, увеличение рабочих температур, повышение надежности по сравнению с приборами на основе GaAs. The review of the outcomes, published per last years, on creation of UHF power transistors on AlGaN/GaN heterostructures is submitted. The problems of a design and technology of manufacturing of the transistors as well as an influence of a substrate on the characteristics of devices are surveyed. Is exhibited, that AlGaN/GaN НЕМТs can provide (5-10) multiple increases of power density (≥10 W/mm) at an efficiency up to 60 %, increase of operation temperatures, reliability increasing as compared to GaAs devices. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Твердотельная СВЧ-микроэлектроника Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников Power UHF transistors on the wide bandgap semiconductors Article published earlier |
| spellingShingle | Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников Босый, В.И. Иващук, А.В. Ковальчук, В.Н. Семашко, Е.М. Твердотельная СВЧ-микроэлектроника |
| title | Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников |
| title_alt | Power UHF transistors on the wide bandgap semiconductors |
| title_full | Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников |
| title_fullStr | Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников |
| title_full_unstemmed | Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников |
| title_short | Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников |
| title_sort | мощные свч-транзисторы на основе широкозонных полупроводников |
| topic | Твердотельная СВЧ-микроэлектроника |
| topic_facet | Твердотельная СВЧ-микроэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70641 |
| work_keys_str_mv | AT bosyivi moŝnyesvčtranzistorynaosnoveširokozonnyhpoluprovodnikov AT ivaŝukav moŝnyesvčtranzistorynaosnoveširokozonnyhpoluprovodnikov AT kovalʹčukvn moŝnyesvčtranzistorynaosnoveširokozonnyhpoluprovodnikov AT semaškoem moŝnyesvčtranzistorynaosnoveširokozonnyhpoluprovodnikov AT bosyivi poweruhftransistorsonthewidebandgapsemiconductors AT ivaŝukav poweruhftransistorsonthewidebandgapsemiconductors AT kovalʹčukvn poweruhftransistorsonthewidebandgapsemiconductors AT semaškoem poweruhftransistorsonthewidebandgapsemiconductors |