Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты исследований влияния подложки на характеристики приборов. Показано, что НЕМТ...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70641 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников / В.И. Босый, А.В. Иващук, В.Н. Ковальчук, Е.М. Семашко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 53-58. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |