Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков

Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комб...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2003
Hauptverfasser: Шварц, Ю.М., Шварц, М.М., Иващенко, А.Н., Босый, В.И., Максименко, А.Г., Сапон, С.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70642
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70642
record_format dspace
spelling Шварц, Ю.М.
Шварц, М.М.
Иващенко, А.Н.
Босый, В.И.
Максименко, А.Г.
Сапон, С.В.
2014-11-09T11:41:46Z
2014-11-09T11:41:46Z
2003
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70642
536.53
Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д.
We have developed the new type of the silicon diode temperature sensors (DTSs) with advanced characteristics on the base of highly doped p-n silicon structures. The industrial technology of manufacturing such type of structures with minimized leakage and generation-recombination currents (almost ideal diode) have provided to make the advanced diode temperature sensors for extreme electronics. The design and assembly technology for the DTSs has been developed with making use of laser engineering for the package production.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
New generation of the misroelectronics silicon diode temperature sensors
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
spellingShingle Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
Шварц, Ю.М.
Шварц, М.М.
Иващенко, А.Н.
Босый, В.И.
Максименко, А.Г.
Сапон, С.В.
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
title_short Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
title_full Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
title_fullStr Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
title_full_unstemmed Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
title_sort новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
author Шварц, Ю.М.
Шварц, М.М.
Иващенко, А.Н.
Босый, В.И.
Максименко, А.Г.
Сапон, С.В.
author_facet Шварц, Ю.М.
Шварц, М.М.
Иващенко, А.Н.
Босый, В.И.
Максименко, А.Г.
Сапон, С.В.
topic Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
topic_facet Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
publishDate 2003
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt New generation of the misroelectronics silicon diode temperature sensors
description Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д. We have developed the new type of the silicon diode temperature sensors (DTSs) with advanced characteristics on the base of highly doped p-n silicon structures. The industrial technology of manufacturing such type of structures with minimized leakage and generation-recombination currents (almost ideal diode) have provided to make the advanced diode temperature sensors for extreme electronics. The design and assembly technology for the DTSs has been developed with making use of laser engineering for the package production.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70642
citation_txt Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT švarcûm novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov
AT švarcmm novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov
AT ivaŝenkoan novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov
AT bosyivi novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov
AT maksimenkoag novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov
AT saponsv novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov
AT švarcûm newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors
AT švarcmm newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors
AT ivaŝenkoan newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors
AT bosyivi newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors
AT maksimenkoag newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors
AT saponsv newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors
first_indexed 2025-12-07T17:11:11Z
last_indexed 2025-12-07T17:11:11Z
_version_ 1850870304094552064