Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комб...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70642 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862708494892793856 |
|---|---|
| author | Шварц, Ю.М. Шварц, М.М. Иващенко, А.Н. Босый, В.И. Максименко, А.Г. Сапон, С.В. |
| author_facet | Шварц, Ю.М. Шварц, М.М. Иващенко, А.Н. Босый, В.И. Максименко, А.Г. Сапон, С.В. |
| citation_txt | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д.
We have developed the new type of the silicon diode temperature sensors (DTSs) with advanced characteristics on the base of highly doped p-n silicon structures. The industrial technology of manufacturing such type of structures with minimized leakage and generation-recombination currents (almost ideal diode) have provided to make the advanced diode temperature sensors for extreme electronics. The design and assembly technology for the DTSs has been developed with making use of laser engineering for the package production.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:11:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70642 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:11:11Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шварц, Ю.М. Шварц, М.М. Иващенко, А.Н. Босый, В.И. Максименко, А.Г. Сапон, С.В. 2014-11-09T11:41:46Z 2014-11-09T11:41:46Z 2003 Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70642 536.53 Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д. We have developed the new type of the silicon diode temperature sensors (DTSs) with advanced characteristics on the base of highly doped p-n silicon structures. The industrial technology of manufacturing such type of structures with minimized leakage and generation-recombination currents (almost ideal diode) have provided to make the advanced diode temperature sensors for extreme electronics. The design and assembly technology for the DTSs has been developed with making use of laser engineering for the package production. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Твердотельная СВЧ-микроэлектроника Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков New generation of the misroelectronics silicon diode temperature sensors Article published earlier |
| spellingShingle | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков Шварц, Ю.М. Шварц, М.М. Иващенко, А.Н. Босый, В.И. Максименко, А.Г. Сапон, С.В. Твердотельная СВЧ-микроэлектроника |
| title | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| title_alt | New generation of the misroelectronics silicon diode temperature sensors |
| title_full | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| title_fullStr | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| title_full_unstemmed | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| title_short | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| title_sort | новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| topic | Твердотельная СВЧ-микроэлектроника |
| topic_facet | Твердотельная СВЧ-микроэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70642 |
| work_keys_str_mv | AT švarcûm novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT švarcmm novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT ivaŝenkoan novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT bosyivi novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT maksimenkoag novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT saponsv novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT švarcûm newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors AT švarcmm newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors AT ivaŝenkoan newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors AT bosyivi newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors AT maksimenkoag newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors AT saponsv newgenerationofthemisroelectronicssilicondiodetemperaturesensors |