Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комб...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | Шварц, Ю.М., Шварц, М.М., Иващенко, А.Н., Босый, В.И., Максименко, А.Г., Сапон, С.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70642 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
von: Shvarts, Yu. M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Shvarts, Yu. M., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Смесительно-детекторные и умножительные диоды для смесителей приемных устройств СВЧ
von: Бобженко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Бобженко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
von: Москалюк, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Москалюк, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей
von: Масенко, Б.П.
Veröffentlicht: (2002)
von: Масенко, Б.П.
Veröffentlicht: (2002)
Новое поколение пьезокерамических датчиков физических величин
von: Шарапов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Шарапов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
von: Kolezhuk, K. V., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kolezhuk, K. V., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Новое поколение пьезокерамических датчиков физических величин
von: Sharapov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Sharapov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Новое поколение пожаробезопасных кабелей для атомных электростанций
von: Подольцев, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Подольцев, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
TPS/i: новое поколение интеллектуальных сварочных систем
Veröffentlicht: (2014)
Veröffentlicht: (2014)
Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой p-i-n структурой
von: Шуба, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Шуба, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Новое поколение сварочных систем TransPocket 150-180
Veröffentlicht: (2016)
Veröffentlicht: (2016)
Новое поколение преобразователей «ток—напряжение» для измерения фотосигналов
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Новое поколение оборудования для автоматизированного ультразвукового контроля сварных труб
von: Найда, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Найда, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
von: Кириченко, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Кириченко, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Диодный сенсор температуры: анализ приборной погрешности измерения
von: Иващенко, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Иващенко, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Доклад о мировом развитии 2007. Развитие и новое поколение. Всемирный банк
Veröffentlicht: (2007)
Veröffentlicht: (2007)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
von: Шварц, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Шварц, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Тепловая эффективность оребренных поверхностей при низкоскоростном обдуве
von: Письменный, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Письменный, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Теоретические аспекты оптимизации металлических токосъемных контактов солнечных элементов
von: Горский, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Горский, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Микрочиповые лазеры
von: Матковский, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Матковский, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Двухспектральный фотоприемник
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Ähnliche Einträge
-
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
von: Shvarts, Yu. M., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Смесительно-детекторные и умножительные диоды для смесителей приемных устройств СВЧ
von: Бобженко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
von: Москалюк, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)