Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса. The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2003
Автори: Москалюк, В.А., Тимофеев, В.И., Иващук, А.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70643
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70643
record_format dspace
spelling Москалюк, В.А.
Тимофеев, В.И.
Иващук, А.В.
2014-11-09T11:43:33Z
2014-11-09T11:43:33Z
2003
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70643
621.382.323
Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса.
The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse and energy for GaAs in strong electric fields for modeling dynamic processes with the help of the appropriate equations of the balance is offered.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
Calculation of relaxation parameters GaAs in strong electric fields
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
spellingShingle Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
Москалюк, В.А.
Тимофеев, В.И.
Иващук, А.В.
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
title_short Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
title_full Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
title_fullStr Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
title_full_unstemmed Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
title_sort расчет релаксационных параметров gaas в сильных полях
author Москалюк, В.А.
Тимофеев, В.И.
Иващук, А.В.
author_facet Москалюк, В.А.
Тимофеев, В.И.
Иващук, А.В.
topic Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
topic_facet Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
publishDate 2003
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Calculation of relaxation parameters GaAs in strong electric fields
description Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса. The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse and energy for GaAs in strong electric fields for modeling dynamic processes with the help of the appropriate equations of the balance is offered.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70643
citation_txt Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT moskalûkva rasčetrelaksacionnyhparametrovgaasvsilʹnyhpolâh
AT timofeevvi rasčetrelaksacionnyhparametrovgaasvsilʹnyhpolâh
AT ivaŝukav rasčetrelaksacionnyhparametrovgaasvsilʹnyhpolâh
AT moskalûkva calculationofrelaxationparametersgaasinstrongelectricfields
AT timofeevvi calculationofrelaxationparametersgaasinstrongelectricfields
AT ivaŝukav calculationofrelaxationparametersgaasinstrongelectricfields
first_indexed 2025-12-07T13:14:30Z
last_indexed 2025-12-07T13:14:30Z
_version_ 1850855413245804544