Buchumschlag

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса. The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2003
ISSN:	2225-5818
Hauptverfasser:	Москалюк, В.А., Тимофеев, В.И., Иващук, А.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Schlagworte:	Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70643
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
von: Moskalyuk, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Смесительно-детекторные и умножительные диоды для смесителей приемных устройств СВЧ
von: Бобженко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
von: Шварц, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
von: Грищенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Монолитные трансформаторы в многослойной технологии GaAs
von: Бондарь, Д.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Влияние режимных параметров на теплопередающие характеристики миниатюрных тепловых труб
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2004)

Диэлектрические ван-флековские парамагнетики в сильных магнитных полях
von: Тагиров, М.С., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Средние силы, действующие на вещество в сильных лазерных полях
von: Андреев, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование сверхпроводящей микроволновой линии передачи в сильных электромагнитных полях
von: Лавринович, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

О намагниченности низкоразмерного электронного газа в сильных магнитных полях
von: Гохфельд, В.М.
Veröffentlicht: (2004)

Кинетические явления в органических проводниках в сильных магнитных полях
von: Песчанский, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Варизонный AlGaInAs-диод Ганна
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Особенности магнитоэлектрических свойств BiFeO₃ в сильных магнитных полях
von: Попов, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Тепловая эффективность оребренных поверхностей при низкоскоростном обдуве
von: Письменный, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Охлаждение перспективных накопителей на жестких магнитных дисках с применением тепловых труб
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре
von: Горбунов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Анализ и расчет распределения высокочастотного поля неоднородной резонаторной системы магнетрона
von: Чистяков, К.И.
Veröffentlicht: (2012)

Определение технологических параметров изготовления керамических опор замедляющей системы ЛБВ
von: Предмирский, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Применение самовосстанавливающихся элементов для электрической защиты солнечных батарей
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)