Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода. The physical mechanism of inside amplificatio...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70654 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом / И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, Р.Г. Сидорец, Ю.Г. Туманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 4. — С. 46-49. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода.
The physical mechanism of inside amplification at the p-n-junction with long base, on the lateral surface of which the field-effect MOS-contact was made, was considered. The joint action of several mechanisms of amplification the sensitivity of injection photodiodes is increase.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |