Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода. The physical mechanism of inside amplificatio...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70654 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом / И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, Р.Г. Сидорец, Ю.Г. Туманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 4. — С. 46-49. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70654 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Викулин, И.М. Курмашев, Ш.Д. Сидорец, Р.Г. Туманов, Ю.Г. 2014-11-09T19:02:01Z 2014-11-09T19:02:01Z 2003 Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом / И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, Р.Г. Сидорец, Ю.Г. Туманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 4. — С. 46-49. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70654 621.382.4 Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода. The physical mechanism of inside amplification at the p-n-junction with long base, on the lateral surface of which the field-effect MOS-contact was made, was considered. The joint action of several mechanisms of amplification the sensitivity of injection photodiodes is increase. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Оптоэлектроника Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом The current amplification of injection photodiodes with field-effect contact Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| spellingShingle |
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом Викулин, И.М. Курмашев, Ш.Д. Сидорец, Р.Г. Туманов, Ю.Г. Оптоэлектроника |
| title_short |
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| title_full |
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| title_fullStr |
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| title_full_unstemmed |
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| title_sort |
усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| author |
Викулин, И.М. Курмашев, Ш.Д. Сидорец, Р.Г. Туманов, Ю.Г. |
| author_facet |
Викулин, И.М. Курмашев, Ш.Д. Сидорец, Р.Г. Туманов, Ю.Г. |
| topic |
Оптоэлектроника |
| topic_facet |
Оптоэлектроника |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
The current amplification of injection photodiodes with field-effect contact |
| description |
Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода.
The physical mechanism of inside amplification at the p-n-junction with long base, on the lateral surface of which the field-effect MOS-contact was made, was considered. The joint action of several mechanisms of amplification the sensitivity of injection photodiodes is increase.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70654 |
| citation_txt |
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом / И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, Р.Г. Сидорец, Ю.Г. Туманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 4. — С. 46-49. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vikulinim usilenietokavinžekcionnyhfotodiodahspolevymélektrodom AT kurmaševšd usilenietokavinžekcionnyhfotodiodahspolevymélektrodom AT sidorecrg usilenietokavinžekcionnyhfotodiodahspolevymélektrodom AT tumanovûg usilenietokavinžekcionnyhfotodiodahspolevymélektrodom AT vikulinim thecurrentamplificationofinjectionphotodiodeswithfieldeffectcontact AT kurmaševšd thecurrentamplificationofinjectionphotodiodeswithfieldeffectcontact AT sidorecrg thecurrentamplificationofinjectionphotodiodeswithfieldeffectcontact AT tumanovûg thecurrentamplificationofinjectionphotodiodeswithfieldeffectcontact |
| first_indexed |
2025-12-07T15:39:46Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:39:46Z |
| _version_ |
1850864551790116864 |