Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2003
• 1. Verfasser: Касимов Ф.Д.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Schlagworte: Техническая политика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70687
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники / Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 5. — С. 5-8. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Показано, что одновременное выращивание локальных пленок поли- и монокристаллического кремния легло в основу развития микроэлектронной негатроники - нового направления функциональной электроники. Сочетание в едином кристалле чувствительных элементов и аналогов негатронов позволяет создавать микроэле...