Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур
Приведены основы метода контролируемого анодного окисления ("анодной спектроскопии"), методики его применения, результаты исследований многослойных тонкопленочных структур. Получены и проанализированы профили анодирования структур, сформированных при осаждении пленок Nb и Al электронно-луч...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70698 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур / Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, И.Д. Войтович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 5. — С. 42-46. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862550138783793152 |
|---|---|
| author | Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Войтович, И.Д. |
| author_facet | Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Войтович, И.Д. |
| citation_txt | Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур / Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, И.Д. Войтович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 5. — С. 42-46. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Приведены основы метода контролируемого анодного окисления ("анодной спектроскопии"), методики его применения, результаты исследований многослойных тонкопленочных структур. Получены и проанализированы профили анодирования структур, сформированных при осаждении пленок Nb и Al электронно-лучевым способом и магнетроном, с формированием барьерного оксида AlOx термическим окислением и в тлеющем разряде магнетрона. Продемонстрировано применение метода для контроля формирования наноструктурированных анодных пленок оксида алюминия. Показана плодотворность метода для экспресс-контроля тонкопленочных технологий.
|
| first_indexed | 2025-11-25T20:42:34Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70698 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T20:42:34Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Войтович, И.Д. 2014-11-11T06:43:36Z 2014-11-11T06:43:36Z 2003 Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур / Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, И.Д. Войтович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 5. — С. 42-46. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70698 539.216.2:691.5 Приведены основы метода контролируемого анодного окисления ("анодной спектроскопии"), методики его применения, результаты исследований многослойных тонкопленочных структур. Получены и проанализированы профили анодирования структур, сформированных при осаждении пленок Nb и Al электронно-лучевым способом и магнетроном, с формированием барьерного оксида AlOx термическим окислением и в тлеющем разряде магнетрона. Продемонстрировано применение метода для контроля формирования наноструктурированных анодных пленок оксида алюминия. Показана плодотворность метода для экспресс-контроля тонкопленочных технологий. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур Article published earlier |
| spellingShingle | Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Войтович, И.Д. Технология производства |
| title | Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур |
| title_full | Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур |
| title_fullStr | Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур |
| title_full_unstemmed | Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур |
| title_short | Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур |
| title_sort | применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур |
| topic | Технология производства |
| topic_facet | Технология производства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70698 |
| work_keys_str_mv | AT lebedevats primeneniekontroliruemogoanodnogookisleniâdlâékspresskontrolâvtehnologiiplenokitonkoplenočnyhstruktur AT špilevoipb primeneniekontroliruemogoanodnogookisleniâdlâékspresskontrolâvtehnologiiplenokitonkoplenočnyhstruktur AT voitovičid primeneniekontroliruemogoanodnogookisleniâdlâékspresskontrolâvtehnologiiplenokitonkoplenočnyhstruktur |