Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений

Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зон...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2003
Автори:	Кондрик, А.И., Ковтун, Г.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Теми:	Материалы для микроэлектроники
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70708
record_format	dspace
spelling	Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. 2014-11-11T14:52:59Z 2014-11-11T14:52:59Z 2003 Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708 621.315.592:546.28 Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (CСdTe=1) до 1,8 эВ (CСdTe"0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (соответствующее CСdTe"0,5) существенно не влияет на величину Eg0. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений Дослідження властивостей напівпровідникових матеріалів для детекторів іонізуючих випромінювань Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
spellingShingle	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. Материалы для микроэлектроники
title_short	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
title_full	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
title_fullStr	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
title_full_unstemmed	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
title_sort	исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
author	Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П.
author_facet	Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П.
topic	Материалы для микроэлектроники
topic_facet	Материалы для микроэлектроники
publishDate	2003
language	Russian
container_title	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format	Article
title_alt	Дослідження властивостей напівпровідникових матеріалів для детекторів іонізуючих випромінювань
description	Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (CСdTe=1) до 1,8 эВ (CСdTe"0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (соответствующее CСdTe"0,5) существенно не влияет на величину Eg0.
issn	2225-5818
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708
fulltext
citation_txt	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT kondrikai issledovaniesvoistvpoluprovodnikovyhmaterialovdlâdetektorovioniziruûŝihizlučenii AT kovtungp issledovaniesvoistvpoluprovodnikovyhmaterialovdlâdetektorovioniziruûŝihizlučenii AT kondrikai doslídžennâvlastivosteinapívprovídnikovihmateríalívdlâdetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ AT kovtungp doslídžennâvlastivosteinapívprovídnikovihmateríalívdlâdetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ
first_indexed	2025-11-25T20:53:13Z
last_indexed	2025-11-25T20:53:13Z
_version_	1850539457169588224

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений

Репозитарії

Схожі ресурси