Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зон...
Збережено в:
| Опубліковано в: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| ISSN: | 2225-5818 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862551469294616576 |
|---|---|
| author | Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. |
| author_facet | Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. |
| citation_txt | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (CСdTe=1) до 1,8 эВ (CСdTe"0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (соответствующее CСdTe"0,5) существенно не влияет на величину Eg0.
|
| first_indexed | 2025-11-25T20:53:13Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70708 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T20:53:13Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. 2014-11-11T14:52:59Z 2014-11-11T14:52:59Z 2003 Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708 621.315.592:546.28 Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (CСdTe=1) до 1,8 эВ (CСdTe"0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (соответствующее CСdTe"0,5) существенно не влияет на величину Eg0. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений Дослідження властивостей напівпровідникових матеріалів для детекторів іонізуючих випромінювань Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. Материалы для микроэлектроники |
| title | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_alt | Дослідження властивостей напівпровідникових матеріалів для детекторів іонізуючих випромінювань |
| title_full | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_fullStr | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_full_unstemmed | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_short | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_sort | исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708 |
| work_keys_str_mv | AT kondrikai issledovaniesvoistvpoluprovodnikovyhmaterialovdlâdetektorovioniziruûŝihizlučenii AT kovtungp issledovaniesvoistvpoluprovodnikovyhmaterialovdlâdetektorovioniziruûŝihizlučenii AT kondrikai doslídžennâvlastivosteinapívprovídnikovihmateríalívdlâdetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ AT kovtungp doslídžennâvlastivosteinapívprovídnikovihmateríalívdlâdetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ |