Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2003
• Main Authors: Кондрик, А.И., Ковтун, Г.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Subjects: Материалы для микроэлектроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зон...