Зображення обкладинки

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений

Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зон...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2003
Автори:	Кондрик, А.И., Ковтун, Г.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Теми:	Материалы для микроэлектроники
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2008)

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2002)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2000)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2004)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Токопроводящий клей на основе порошка меди
за авторством: Каркина, Е.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
за авторством: Савицкий, Г.В., та інші
Опубліковано: (2002)

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Об одном способе обнаружения слабых потоков ионизирующих излучений
за авторством: Забулонов, Ю.Л., та інші
Опубліковано: (2010)

Люминесцентные свойства монокристаллов шпинели при воздействии ионизирующих излучений
за авторством: Казаринов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2002)

Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
за авторством: Дунаенко, А.Х., та інші
Опубліковано: (2003)

Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Относительная биологическая эффективность ионизирующих излучений, используемых в лучевой терапии онкологических больных
за авторством: Дёмина, Э.А.
Опубліковано: (2019)

Поликристаллические органические сцинтилляторы – новый вид эффективных детектирующих материлов для заряженных короткопробежных ионизирующих излучений
за авторством: Галунов, Н.З., та інші
Опубліковано: (2006)

Сравнительный анализ радиографических технических пленок для промышленного неразрушающего контроля, исследования и регистрации ионизирующих излучений
за авторством: Терехов, П.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
за авторством: Будянский, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)

Применение полупроводниковых детекторов для учета и контроля РАО
за авторством: Давыдов, Л.Н., та інші
Опубліковано: (2002)

Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
за авторством: Дудник, С.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)

Диодные реакторные системы микротравления
за авторством: Фареник, В.И.
Опубліковано: (2002)

Получение высокочистых металлов для производства низкофоновых сцинтилляционных детекторов
за авторством: Щербань, А.П.
Опубліковано: (2011)

Разработка высокованадиевого сплава для плазменно-порошковой наплавки ножей для резки неметаллических материалов
за авторством: Переплетчиков, Е.Ф.
Опубліковано: (2014)

Особенности электрофизических свойств полупроводниковых алмазов, выращенных методом температурного градиента
за авторством: Чепугов, А.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Схемное решение термостабилизации выходного сигнала полупроводниковых датчиков
за авторством: Викулина, Л.Ф.
Опубліковано: (1998)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2000)