Buchumschlag

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений

Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зон...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Кондрик, А.И., Ковтун, Г.П.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Schlagworte:	Материалы для микроэлектроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70708
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
von: Королюк, С.Л., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Токопроводящий клей на основе порошка меди
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Ультрадисперсные субфазы в молекулярной электронике
von: Ковальчук, В.В.
Veröffentlicht: (2002)

Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
von: Олих, Я.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Люминесцентные свойства монокристаллов шпинели при воздействии ионизирующих излучений
von: Казаринов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Об одном способе обнаружения слабых потоков ионизирующих излучений
von: Забулонов, Ю.Л., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Оборудование для зондовой диагностики и контроля плазменных технологических процессов
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Относительная биологическая эффективность ионизирующих излучений, используемых в лучевой терапии онкологических больных
von: Дёмина, Э.А.
Veröffentlicht: (2019)

Поликристаллические органические сцинтилляторы – новый вид эффективных детектирующих материлов для заряженных короткопробежных ионизирующих излучений
von: Галунов, Н.З., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Сравнительный анализ радиографических технических пленок для промышленного неразрушающего контроля, исследования и регистрации ионизирующих излучений
von: Терехов, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2004)

Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)