Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70709 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862716060233367552 |
|---|---|
| author | Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. |
| author_facet | Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. |
| citation_txt | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:01:53Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70709 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:01:53Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. 2014-11-11T14:54:37Z 2014-11-11T14:54:37Z 2003 Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70709 621.362:621.383 Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки Вирощування гетероструктур GaSb/InAs рідкофазною епітаксією без розчинення підкладинки Article published earlier |
| spellingShingle | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Материалы для микроэлектроники |
| title | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_alt | Вирощування гетероструктур GaSb/InAs рідкофазною епітаксією без розчинення підкладинки |
| title_full | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_fullStr | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_full_unstemmed | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_short | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_sort | выращивание гетероструктур gasb/inas жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70709 |
| work_keys_str_mv | AT marončukie vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznoiépitaksieibezrastvoreniâpodložki AT kurakvv vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznoiépitaksieibezrastvoreniâpodložki AT andronovaev vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznoiépitaksieibezrastvoreniâpodložki AT baganovea vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznoiépitaksieibezrastvoreniâpodložki AT marončukie viroŝuvannâgeterostrukturgasbinasrídkofaznoûepítaksíêûbezrozčinennâpídkladinki AT kurakvv viroŝuvannâgeterostrukturgasbinasrídkofaznoûepítaksíêûbezrozčinennâpídkladinki AT andronovaev viroŝuvannâgeterostrukturgasbinasrídkofaznoûepítaksíêûbezrozčinennâpídkladinki AT baganovea viroŝuvannâgeterostrukturgasbinasrídkofaznoûepítaksíêûbezrozčinennâpídkladinki |