Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70709 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70709 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. 2014-11-11T14:54:37Z 2014-11-11T14:54:37Z 2003 Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70709 621.362:621.383 Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки Вирощування гетероструктур GaSb/InAs рідкофазною епітаксією без розчинення підкладинки Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| spellingShingle |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Материалы для микроэлектроники |
| title_short |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_full |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_fullStr |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_full_unstemmed |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_sort |
выращивание гетероструктур gasb/inas жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| author |
Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. |
| author_facet |
Марончук, И.Е. Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. |
| topic |
Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вирощування гетероструктур GaSb/InAs рідкофазною епітаксією без розчинення підкладинки |
| description |
Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70709 |
| citation_txt |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT marončukie vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznoiépitaksieibezrastvoreniâpodložki AT kurakvv vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznoiépitaksieibezrastvoreniâpodložki AT andronovaev vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznoiépitaksieibezrastvoreniâpodložki AT baganovea vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznoiépitaksieibezrastvoreniâpodložki AT marončukie viroŝuvannâgeterostrukturgasbinasrídkofaznoûepítaksíêûbezrozčinennâpídkladinki AT kurakvv viroŝuvannâgeterostrukturgasbinasrídkofaznoûepítaksíêûbezrozčinennâpídkladinki AT andronovaev viroŝuvannâgeterostrukturgasbinasrídkofaznoûepítaksíêûbezrozčinennâpídkladinki AT baganovea viroŝuvannâgeterostrukturgasbinasrídkofaznoûepítaksíêûbezrozčinennâpídkladinki |
| first_indexed |
2025-12-07T18:01:53Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:01:53Z |
| _version_ |
1850873493175926784 |