Buchumschlag

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Марончук, И.Е., Курак, В.В., Андронова, Е.В., Баганов, Е.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Schlagworte:	Материалы для микроэлектроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70709
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Моделирование процессов тепломассопереноса при жидкофазной эпитаксии соединений А³В⁵ методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Токопроводящий клей на основе порошка меди
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

GaSb whiskers in sensor electronics
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Энергоемкость процесса жидкофазной восстановительной плавки
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Поведение фосфора при жидкофазной восстановительной плавке
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Выращивание тугоплавких металлических монокристаллов (Обзор)
von: Шаповалов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
von: Левченко, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Поведение ванадия при жидкофазной плавке ванадийсодержащего концентрата
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)