Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2003
• ISSN: 2225-5818
• Hauptverfasser: Марончук, И.Е., Курак, В.В., Андронова, Е.В., Баганов, Е.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Schlagworte: Материалы для микроэлектроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70709
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки...