Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2003
• Автори: Дружинин, А.А., Марьямова, И.И., Матвиенко, С.Н., Хорвенко, Ю.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Теми: Материалы для микроэлектроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70710
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, С.Н. Матвиенко, Ю.Н. Хорвенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 10-13. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные поли-Si-резисторы (2,4·10¹⁸ см⁻³) могут быть рекомендованы в качестве высоко­чувствительных терморезисторов. Для пьезорезистивных сенсоров механических величин рекомендуются сильнолегированные, рекристаллизованные лазером поли-Si-резисторы (~1,7·10²⁰ см⁻³). Они же являются наиболее стабильными к влиянию сильных магнитных полей.