Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные поли-Si-резисторы (2,4·10¹⁸ см⁻³) могут быть рекомендованы в качестве...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70710 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, С.Н. Матвиенко, Ю.Н. Хорвенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 10-13. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70710 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Дружинин, А.А. Марьямова, И.И. Матвиенко, С.Н. Хорвенко, Ю.Н. 2014-11-11T14:56:15Z 2014-11-11T14:56:15Z 2003 Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, С.Н. Матвиенко, Ю.Н. Хорвенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 10-13. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70710 625.315.592 Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные поли-Si-резисторы (2,4·10¹⁸ см⁻³) могут быть рекомендованы в качестве высокочувствительных терморезисторов. Для пьезорезистивных сенсоров механических величин рекомендуются сильнолегированные, рекристаллизованные лазером поли-Si-резисторы (~1,7·10²⁰ см⁻³). Они же являются наиболее стабильными к влиянию сильных магнитных полей. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров Дослідження властивостей полікремнію на ізоляторі при кріогенних температурах для створення сенсорів Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| spellingShingle |
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров Дружинин, А.А. Марьямова, И.И. Матвиенко, С.Н. Хорвенко, Ю.Н. Материалы для микроэлектроники |
| title_short |
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| title_full |
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| title_fullStr |
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| title_full_unstemmed |
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| title_sort |
исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| author |
Дружинин, А.А. Марьямова, И.И. Матвиенко, С.Н. Хорвенко, Ю.Н. |
| author_facet |
Дружинин, А.А. Марьямова, И.И. Матвиенко, С.Н. Хорвенко, Ю.Н. |
| topic |
Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Дослідження властивостей полікремнію на ізоляторі при кріогенних температурах для створення сенсорів |
| description |
Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные поли-Si-резисторы (2,4·10¹⁸ см⁻³) могут быть рекомендованы в качестве высокочувствительных терморезисторов. Для пьезорезистивных сенсоров механических величин рекомендуются сильнолегированные, рекристаллизованные лазером поли-Si-резисторы (~1,7·10²⁰ см⁻³). Они же являются наиболее стабильными к влиянию сильных магнитных полей.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70710 |
| citation_txt |
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, С.Н. Матвиенко, Ю.Н. Хорвенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 10-13. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT družininaa issledovaniesvoistvsloevpolikremniânaizolâtoreprikriogennyhtemperaturahdlâsozdaniâsensorov AT marʹâmovaii issledovaniesvoistvsloevpolikremniânaizolâtoreprikriogennyhtemperaturahdlâsozdaniâsensorov AT matvienkosn issledovaniesvoistvsloevpolikremniânaizolâtoreprikriogennyhtemperaturahdlâsozdaniâsensorov AT horvenkoûn issledovaniesvoistvsloevpolikremniânaizolâtoreprikriogennyhtemperaturahdlâsozdaniâsensorov AT družininaa doslídžennâvlastivosteipolíkremníûnaízolâtoríprikríogennihtemperaturahdlâstvorennâsensorív AT marʹâmovaii doslídžennâvlastivosteipolíkremníûnaízolâtoríprikríogennihtemperaturahdlâstvorennâsensorív AT matvienkosn doslídžennâvlastivosteipolíkremníûnaízolâtoríprikríogennihtemperaturahdlâstvorennâsensorív AT horvenkoûn doslídžennâvlastivosteipolíkremníûnaízolâtoríprikríogennihtemperaturahdlâstvorennâsensorív |
| first_indexed |
2025-12-07T15:49:50Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:49:50Z |
| _version_ |
1850865185394262016 |