Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные поли-Si-резисторы (2,4·10¹⁸ см⁻³) могут быть рекомендованы в качестве...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70710 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, С.Н. Матвиенко, Ю.Н. Хорвенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 10-13. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |