Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Опи...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70711 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 14-17. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862650690765062144 |
|---|---|
| author | Мокрицкий, В.А. Гаркавенко, А.С. Зубарев, В.В. Ленков, С.В. |
| author_facet | Мокрицкий, В.А. Гаркавенко, А.С. Зубарев, В.В. Ленков, С.В. |
| citation_txt | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 14-17. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Описаны ядерные реакции, происходящие в кристаллах при воздействии нейтронов и приводящие к легированию акцепторами. На основе созданного таким путем р-n-перехода в CdS изготовлен светодиод и планируется изготовление и исследование инжекционного лазера.
|
| first_indexed | 2025-12-01T17:45:19Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70711 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T17:45:19Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мокрицкий, В.А. Гаркавенко, А.С. Зубарев, В.В. Ленков, С.В. 2014-11-11T14:57:52Z 2014-11-11T14:57:52Z 2003 Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 14-17. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70711 536.84 Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Описаны ядерные реакции, происходящие в кристаллах при воздействии нейтронов и приводящие к легированию акцепторами. На основе созданного таким путем р-n-перехода в CdS изготовлен светодиод и планируется изготовление и исследование инжекционного лазера. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия Радіаційне легування сульфіда кадмію та арсеніда галію Article published earlier |
| spellingShingle | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия Мокрицкий, В.А. Гаркавенко, А.С. Зубарев, В.В. Ленков, С.В. Материалы для микроэлектроники |
| title | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_alt | Радіаційне легування сульфіда кадмію та арсеніда галію |
| title_full | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_fullStr | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_full_unstemmed | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_short | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_sort | радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70711 |
| work_keys_str_mv | AT mokrickiiva radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ AT garkavenkoas radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ AT zubarevvv radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ AT lenkovsv radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ AT mokrickiiva radíacíineleguvannâsulʹfídakadmíûtaarsenídagalíû AT garkavenkoas radíacíineleguvannâsulʹfídakadmíûtaarsenídagalíû AT zubarevvv radíacíineleguvannâsulʹfídakadmíûtaarsenídagalíû AT lenkovsv radíacíineleguvannâsulʹfídakadmíûtaarsenídagalíû |