Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Опи...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70711 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 14-17. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70711 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Мокрицкий, В.А. Гаркавенко, А.С. Зубарев, В.В. Ленков, С.В. 2014-11-11T14:57:52Z 2014-11-11T14:57:52Z 2003 Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 14-17. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70711 536.84 Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Описаны ядерные реакции, происходящие в кристаллах при воздействии нейтронов и приводящие к легированию акцепторами. На основе созданного таким путем р-n-перехода в CdS изготовлен светодиод и планируется изготовление и исследование инжекционного лазера. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия Радіаційне легування сульфіда кадмію та арсеніда галію Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| spellingShingle |
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия Мокрицкий, В.А. Гаркавенко, А.С. Зубарев, В.В. Ленков, С.В. Материалы для микроэлектроники |
| title_short |
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_full |
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_fullStr |
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_full_unstemmed |
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_sort |
радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| author |
Мокрицкий, В.А. Гаркавенко, А.С. Зубарев, В.В. Ленков, С.В. |
| author_facet |
Мокрицкий, В.А. Гаркавенко, А.С. Зубарев, В.В. Ленков, С.В. |
| topic |
Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Радіаційне легування сульфіда кадмію та арсеніда галію |
| description |
Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Описаны ядерные реакции, происходящие в кристаллах при воздействии нейтронов и приводящие к легированию акцепторами. На основе созданного таким путем р-n-перехода в CdS изготовлен светодиод и планируется изготовление и исследование инжекционного лазера.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70711 |
| citation_txt |
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 14-17. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT mokrickiiva radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ AT garkavenkoas radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ AT zubarevvv radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ AT lenkovsv radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ AT mokrickiiva radíacíineleguvannâsulʹfídakadmíûtaarsenídagalíû AT garkavenkoas radíacíineleguvannâsulʹfídakadmíûtaarsenídagalíû AT zubarevvv radíacíineleguvannâsulʹfídakadmíûtaarsenídagalíû AT lenkovsv radíacíineleguvannâsulʹfídakadmíûtaarsenídagalíû |
| first_indexed |
2025-12-01T17:45:19Z |
| last_indexed |
2025-12-01T17:45:19Z |
| _version_ |
1850860782066073600 |