Cover Image

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия

Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Опи...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2003
Main Authors: Мокрицкий, В.А., Гаркавенко, А.С., Зубарев, В.В., Ленков, С.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Subjects:
Материалы для микроэлектроники
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70711
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 14-17. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items