Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
Рассмотрены вопросы моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Изложены требования к модели НЕМТ. Описаны наиболее распространенные типы моделей: малосигнальные, шумовые, нелинейные и распределенные. Описан алгоритм экстракции параметров малосигнальной модели. Даны ссылки н...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70713 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов / П.А. Емцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 20-26. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70713 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Емцев, П.А. 2014-11-11T15:00:32Z 2014-11-11T15:00:32Z 2003 Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов / П.А. Емцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 20-26. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70713 621.382.3 Рассмотрены вопросы моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Изложены требования к модели НЕМТ. Описаны наиболее распространенные типы моделей: малосигнальные, шумовые, нелинейные и распределенные. Описан алгоритм экстракции параметров малосигнальной модели. Даны ссылки на источники, в которых описаны алгоритмы экстракции параметров для шумовых и нелинейных моделей. Приведены рекомендации по выбору модели транзистора для проектирования конкретных устройств. Поставлена задача разработки универсальной модели и внесения соответствующих изменений в программное обеспечение. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микроэлектроника Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов Моделювання транзисторів з високою рухливістю електронів Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| spellingShingle |
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов Емцев, П.А. Функциональная микроэлектроника |
| title_short |
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| title_full |
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| title_fullStr |
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| title_full_unstemmed |
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| title_sort |
моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| author |
Емцев, П.А. |
| author_facet |
Емцев, П.А. |
| topic |
Функциональная микроэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микроэлектроника |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Моделювання транзисторів з високою рухливістю електронів |
| description |
Рассмотрены вопросы моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Изложены требования к модели НЕМТ. Описаны наиболее распространенные типы моделей: малосигнальные, шумовые, нелинейные и распределенные. Описан алгоритм экстракции параметров малосигнальной модели. Даны ссылки на источники, в которых описаны алгоритмы экстракции параметров для шумовых и нелинейных моделей. Приведены рекомендации по выбору модели транзистора для проектирования конкретных устройств. Поставлена задача разработки универсальной модели и внесения соответствующих изменений в программное обеспечение.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70713 |
| citation_txt |
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов / П.А. Емцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 20-26. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT emcevpa modelirovanietranzistorovsvysokoipodvižnostʹûélektronov AT emcevpa modelûvannâtranzistorívzvisokoûruhlivístûelektronív |
| first_indexed |
2025-12-07T20:53:32Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:53:32Z |
| _version_ |
1850884292710760448 |