Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2003
• 1. Verfasser: Емцев, П.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Schlagworte: Функциональная микроэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70713
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов / П.А. Емцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 20-26. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Рассмотрены вопросы моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Изложены требования к модели НЕМТ. Описаны наиболее распространенные типы моделей: малосигнальные, шумовые, нелинейные и распределенные. Описан алгоритм экстракции параметров малосигнальной модели. Даны ссылки н...