Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях А...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70717 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70717 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. 2014-11-11T15:06:19Z 2014-11-11T15:06:19Z 2003 Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70717 621.383 Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2-15,1 мА/см² и 2,35-2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия - 26,4-30,1%. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Энергетическая микроэлектроника Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs Сонячні елементи на основі тандемиих гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| spellingShingle |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. Энергетическая микроэлектроника |
| title_short |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_full |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_fullStr |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_full_unstemmed |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_sort |
солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур gaas-ingaas-algaas |
| author |
Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. |
| author_facet |
Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. |
| topic |
Энергетическая микроэлектроника |
| topic_facet |
Энергетическая микроэлектроника |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Сонячні елементи на основі тандемиих гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| description |
Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2-15,1 мА/см² и 2,35-2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия - 26,4-30,1%.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70717 |
| citation_txt |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT krukovskiisi solnečnyeélementynaosnovetandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaas AT nikolaenkoûe solnečnyeélementynaosnovetandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaas AT krukovskiisi sonâčníelementinaosnovítandemiihgeterostrukturgaasingaasalgaas AT nikolaenkoûe sonâčníelementinaosnovítandemiihgeterostrukturgaasingaasalgaas |
| first_indexed |
2025-12-01T01:46:24Z |
| last_indexed |
2025-12-01T01:46:24Z |
| _version_ |
1850858967922638848 |