Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях А...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70717 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862639781698076672 |
|---|---|
| author | Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. |
| author_facet | Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. |
| citation_txt | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2-15,1 мА/см² и 2,35-2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия - 26,4-30,1%.
|
| first_indexed | 2025-12-01T01:46:24Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70717 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T01:46:24Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. 2014-11-11T15:06:19Z 2014-11-11T15:06:19Z 2003 Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70717 621.383 Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2-15,1 мА/см² и 2,35-2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия - 26,4-30,1%. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Энергетическая микроэлектроника Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs Сонячні елементи на основі тандемиих гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs Article published earlier |
| spellingShingle | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs Круковский, С.И. Николаенко, Ю.Е. Энергетическая микроэлектроника |
| title | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_alt | Сонячні елементи на основі тандемиих гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_full | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_fullStr | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_full_unstemmed | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_short | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs |
| title_sort | солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур gaas-ingaas-algaas |
| topic | Энергетическая микроэлектроника |
| topic_facet | Энергетическая микроэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70717 |
| work_keys_str_mv | AT krukovskiisi solnečnyeélementynaosnovetandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaas AT nikolaenkoûe solnečnyeélementynaosnovetandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaas AT krukovskiisi sonâčníelementinaosnovítandemiihgeterostrukturgaasingaasalgaas AT nikolaenkoûe sonâčníelementinaosnovítandemiihgeterostrukturgaasingaasalgaas |