Buchumschlag

Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники

Камера тепла и холода (КТХ) предназначена для измерения фотоэлектрических параметров (ФЭП) и испытаний на надежность изделий фотоэлектронной техники в диапазоне температур от -60 до +100°С. Конструкция КТХ обеспечивает измерение ФЭП приемников лучистой энергии (ПЛЭ) в видимом и ближнем инфракрасном...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Дунаенко, А.Х., Фотий, В.Д., Ащеулов, А.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Schlagworte:	Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70722
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники / А.Х. Дунаенко, В.Д. Фотий, А.А. Ащеулов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 51-52. — Бібліогр.: 1 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Диодные реакторные системы микротравления
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2002)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Токопроводящий клей на основе порошка меди
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Повышение качества изделий электронной техники путем моделирования стадий их производства
von: Шестакова, Т.В.
Veröffentlicht: (2007)

ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ВЫХОДНЫХ ЦЕПЯХ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ, РАБОТАЮЩЕГО НА НЕСТАЦИОНАРНУЮ ТЕХНОЛОГИЧЕСКУЮ НАГРУЗКУ
von: Руденко, Ю.В.
Veröffentlicht: (2013)

СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
von: Мартынов , В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Оценка ресурса изделий электронной техники
von: Стрельников, В.П.
Veröffentlicht: (2004)

Перевод туннельной печи для термоиспытаний стеклянных изделий с электрического обогрева на обогрев природным газом
von: Торчинский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Аэрозольные комплексы в процессах обработки воды
von: Гончарук, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Применение метода криоскопии для определения температуры замерзания вод с различным содержанием дейтерия
von: Гончарук, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Кинетика образования пероксида водорода при вакуумном ультрафиолетовом облучении воды
von: Гончарук, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм.
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Получение электрокоммутационных слоев керамических теплопереходов методом детонационного напыления
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование закономерностей формирования пористого льда
von: Мищук, Н.А.
Veröffentlicht: (2015)

Фазовый переход в водах с различным содержанием дейтерия
von: Гончарук, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вода и другие вещества, расширяющиеся при затвердевании
von: Гончарук, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)