Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Сидоренко, В.П., Кизяк, А.Ю., Николаенко, Ю.Е.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Schlagworte: Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70724
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n⁺⁺-p⁺-перехода / В.П. Сидоренко, А.Ю. Кизяк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 56-58. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Рассмотрено влияние микродефектов, а также примесей кислорода и углерода в кремниевой подложке на пробивное напряжение неуправляемого n⁺⁺-p⁺-перехода. Кратко рассмотрен механизм влияния примеси кислорода на тип пробоя. Рассмотрены возможности практического использования результатов данной работы в технологии изготовления СБИС.