Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников
Комплекс позволяет исследовать оптические свойства полупроводниковых материалов, в частности, ширину запрещенной зоны, энергию ионизации примесей. В его основу положен метод оптоемкостной спектроскопии. Метод является бесконтактным, позволяет исследовать образцы полупроводниковых материалов, толщина...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70742 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников / В.А. Васильев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 46-49. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70742 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Васильев, В.А. 2014-11-11T20:00:30Z 2014-11-11T20:00:30Z 2002 Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников / В.А. Васильев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 46-49. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70742 681.325 Комплекс позволяет исследовать оптические свойства полупроводниковых материалов, в частности, ширину запрещенной зоны, энергию ионизации примесей. В его основу положен метод оптоемкостной спектроскопии. Метод является бесконтактным, позволяет исследовать образцы полупроводниковых материалов, толщина которых меньше, чем диффузионная длина свободных носителей заряда. Комплекс состоит из монохроматора, исследуемой твердотельной структуры, оптоемкостного преобразователя и регистратора. Описан алгоритм автоматизированной настройки канала измерения. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников |
| spellingShingle |
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников Васильев, В.А. Технология производства |
| title_short |
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников |
| title_full |
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников |
| title_fullStr |
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников |
| title_full_unstemmed |
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников |
| title_sort |
информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников |
| author |
Васильев, В.А. |
| author_facet |
Васильев, В.А. |
| topic |
Технология производства |
| topic_facet |
Технология производства |
| publishDate |
2002 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Комплекс позволяет исследовать оптические свойства полупроводниковых материалов, в частности, ширину запрещенной зоны, энергию ионизации примесей. В его основу положен метод оптоемкостной спектроскопии. Метод является бесконтактным, позволяет исследовать образцы полупроводниковых материалов, толщина которых меньше, чем диффузионная длина свободных носителей заряда. Комплекс состоит из монохроматора, исследуемой твердотельной структуры, оптоемкостного преобразователя и регистратора. Описан алгоритм автоматизированной настройки канала измерения.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70742 |
| citation_txt |
Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников / В.А. Васильев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 46-49. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vasilʹevva informacionnoizmeritelʹnyikompleksdlâoptoemkostnoispektroskopiipoluprovodnikov |
| first_indexed |
2025-12-07T16:54:30Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:54:30Z |
| _version_ |
1850869253583929344 |