Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2002
• Автори: Адарчин, С.А., Кужненков, А.С., Кожитов, Л.В., Косушкин, В.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Теми: Датчики
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70744
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления / С.А. Адарчин, А.С. Кужненков, Л.В. Кожитов, В.Г. Косушкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 55-57. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Установлен механизм деградации и возникновения отказов микроэлектромеханических структур датчиков давления. Предложена математическая модель изменения величины температурного гистерезиса выходного сигнала датчиков, установлена степень его влияния на надежность приборов. Предложены способы уменьшения...