Особенности разработки датчиков давления на ПАВ для АЭС

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2002
• Hauptverfasser: Лепих, Я.И., Лопушенко, В.К., Черняк, Н.Г., Николаенко, Ю.Е.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Schlagworte: Датчики
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70745
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особенности разработки датчиков давления на ПАВ для АЭС / Я.И. Лепих, В.К. Лопушенко, Н.Г. Черняк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 58-62. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Рассмотрены особенности проектирование датчиков давления с первичным преобразователем на поверхностных акустических волнах для АЭС. Описаны структурная схема и конструкция датчика. Проводится анализ функциональной схемы датчика с точки зрения его метрологических характеристик. Сопоставляются результаты экспериментальных исследований характеристик датчиков с расчетными.