Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
Проанализированы сходства и различия размерно-геометрических параметров моделей микроструктуры серебро-палладиевых толстопленочных резисторов (ТПР). Впервые по структурной модели металлических кластеров и кластерной модели электрических связей на основе экспериментальных данных оценено число выборок...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70746 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок / А.В. Стерхова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 63-64. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859991608036950016 |
|---|---|
| author | Стерхова, А.В. |
| author_facet | Стерхова, А.В. |
| citation_txt | Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок / А.В. Стерхова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 63-64. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Проанализированы сходства и различия размерно-геометрических параметров моделей микроструктуры серебро-палладиевых толстопленочных резисторов (ТПР). Впервые по структурной модели металлических кластеров и кластерной модели электрических связей на основе экспериментальных данных оценено число выборок гауссовского нормального рапределения для длины и площади проводящих гранул и межгранулярного расстояния в широком диапазоне удельных сопротивлений толстопленочных резисторов. Результаты работы использованы при исследовании процессов протекания тока в ТПР.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:32:26Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 2
63
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
07.08 2001 ã.
Îïïîíåíò ä. ô.-ì. í. Â. Â. ÍÎÂÈÊÎÂ
(ÎÍÏÓ, ã. Îäåññà)
Ê. ò. í. À. Â. ÑÒÅÐÕÎÂÀ
Ðîññèÿ, Èæåâñêèé ãîñ. òåõíè÷åñêèé óíèâåðñèòåò
E-mail: root@istu.udm.ru
ÐÀÇÌÅÐÍÎ-ÃÅÎÌÅÒÐÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÀÐÀÌÅÒÐÛ ÌÎÄÅËÅÉ
ÌÈÊÐÎÑÒÐÓÊÒÓÐÛ ÒÎËÑÒÛÕ ÐÅÇÈÑÒÈÂÍÛÕ ÏËÅÍÎÊ
Ïðîàíàëèçèðîâàíû ñõîäñòâà è ðàçëè÷èÿ
ðàçìåðíî-ãåîìåòðè÷åñêèõ ïàðàìåòðîâ
ìîäåëåé ïî ìåðå èçìåíåíèÿ îáúåìíîé
äîëè ïðîâîäÿùåé ôàçû.
Îáúåêòàìè äàííîé ðàáîòû ñëóæèëè îáðàçöû Ag�
Pd òîëñòîïëåíî÷íûõ ðåçèñòîðîâ (ÒÏÐ) òîëùèíîé 20�
25 ìêì, ïîëó÷åííûå ïî ñòàíäàðòíîé òåõíîëîãèè òðà-
ôàðåòíîé ïå÷àòè, ñ óäåëüíûì ñîïðîòèâëåíèåì (ρ ) 0,1,
0,5, 3,0 è 20,0 êÎì/ . Äëÿ êîëè÷åñòâåííîé îöåíêè
îñíîâíûõ ïàðàìåòðîâ ôèçè÷åñêîé ìîäåëè ìåòàëëè-
÷åñêèõ êëàñòåðîâ è êëàñòåðíîé ìîäåëè ýëåêòðè÷åñ-
êèõ ñâÿçåé ÒÏÐ [1, 2], â ñèëó áîëüøîé âûáîðêè ýêñ-
ïåðèìåíòàëüíûõ äàííûõ [1], öåëåñîîáðàçíî áûëî
èñïîëüçîâàòü ìàòåìàòè÷åñêèé ìåòîä ñòàòèñòè÷åñêîé
îáðàáîòêè ñ ïîñòðîåíèåì èíòåãðàëüíîé ôóíêöèè ðàñ-
ïðåäåëåíèÿ èññëåäóåìîé âåëè÷èíû F(x), ïðè ýòîì
ñðåäíÿÿ âåëè÷èíà õ� îïðåäåëÿëàñü íà óðîâíå 0,5 F (x)
ñî ñðåäíåêâàäðàòè÷åñêîé ïîãðåøíîñòüþ ± σ.
Öåëüþ äàííîé ðàáîòû ÿâëÿåòñÿ àïðîáàöèÿ ìåòîäè-
êè ïîñòðîåíèÿ ìîäåëåé ìèêðîñòðóêòóðû ÒÏÐ, èçëî-
æåííîé â ðàáîòå [1], è, íà îñíîâå ïîëó÷åííûõ ðå-
çóëüòàòîâ, âûÿâëåíèå îñíîâíûõ îñîáåííîñòåé ìèê-
ðîñòðóêòóð ÒÏÐ â øèðîêîì äèàïàçîíå óäåëüíûõ ñî-
ïðîòèâëåíèé.
Èçìåðÿåìûìè ïàðàìåòðàìè ÿâëÿëèñü äèàìåòð çå-
ðåí (d), âïèñàííûõ â ãðàíóëû, äëèíà ãðàíóëû (l), ïëî-
ùàäü ãðàíóë (S), ïëîòíîñòü èõ ðàñïðåäåëåíèÿ (Ð),
ìåæãðàíóëÿðíîå ðàññòîÿíèå (L), ò. ê. èçâåñòíî [3], ÷òî
ðàçìåðû ÷àñòèö âëèÿþò íà êðèòè÷åñêîå ïîâåäåíèå ýëåê-
òðîïðîâîäíîñòè, â ÷àñòíîñòè, íà ïîðîã ïðîòåêàíèÿ [4].
Áîëåå òîãî [5], âîçðàñòàíèå ïðîâîäèìîñòè ïðè óâå-
ëè÷åíèè êîíöåíòðàöèè ñâÿçûâàþò ñ ïîñòåïåííûì óâå-
ëè÷åíèåì ðàçìåðîâ ìåòàëëè÷åñêèõ êëàñòåðîâ.
Êàê ñëåäóåò èç ñòàòèñòè÷åñêîé îáðàáîòêè èñõîä-
íîãî ìàññèâà ýêñïåðèìåíòàëüíûõ äàííûõ, ïîëó÷åí-
íûõ ïðè èçìåðåíèè äèàìåòðà çåðåí, ôóíêöèÿ F(d) äëÿ
âñåõ ρ íîñèò îäíîìîäàëüíûé õàðàêòåð, ò. å. ïîä÷è-
íÿåòñÿ íîðìàëüíîìó çàêîíó Ãàóññà. Ñðåäíèå çíà÷å-
íèÿ d
�
±σ èìåþò ìèíèìàëüíûé ðàçáðîñ (â ñêîáêàõ äàíà
âûáîðêà N): 0,14±0,13 (912), 0,14±0,13 (483),
0,16±0,15 (400), 0,13±0,11 (364). Ïîëó÷åííûå çíà÷å-
íèÿ õîðîøî ñîãëàñóþòñÿ ñ âåëè÷èíîé äèàìåòðà ìåë-
êîäèñïåðñíîãî ïîðîøêà ïðîâîäÿùåé ôàçû è ñ ëèòå-
ðàòóðíûìè äàííûìè [3].
 òî æå âðåìÿ îáùèå âûáîðêè ýêñïåðèìåíòàëü-
íûõ äàííûõ ïðè èçìåðåíèè îñòàëüíûõ ïàðàìåòðîâ
(äëèíà ãðàíóëû, åå ïëîùàäü è äëèíà ìåæãðàíóëÿðíî-
ãî ðàññòîÿíèÿ) îêàçàëèñü ìíîãîìîäàëüíûìè, ò. å.
êàæäàÿ âûáîðêà õàðàêòåðèçóåòñÿ ñðåäíèì çíà÷åíèåì
âåëè÷èíû ñî ñâîèì ñîîòâåòñòâóþùèì ñðåäíåêâàä-
ðàòè÷íûì îòêëîíåíèåì, ÷òî âèäíî èç ïðåäñòàâëåí-
íûõ íèæå òàáëè÷íûõ äàííûõ.
 òàáë. 1 ïðèâåäåíû çíà÷åíèÿ äëèíû ãðàíóë l
�
±3σ
ïî âûáîðêàì è ìàêñèìàëüíûå âåëè÷èíû lmax=l
�
±3σ äëÿ
óêàçàííûõ çíà÷åíèé ρ . Èç òàáëè÷íûõ äàííûõ ñëåäóåò
ìíîãîìîäàëüíîñòü îáùåé âûáîðêè ýêñïåðèìåíòàëüíûõ
äàííûõ äëÿ âñåõ îáðàçöîâ. Ìàêñèìàëüíîå ÷èñëî âû-
áîðîê, ðàâíîå ÷åòûðåì, íàáëþäàëîñü äëÿ îáðàçöà ñ
óäåëüíûì ñîïðîòèâëåíèåì 0,5 êÎì/ , ñòðóêòóðíàÿ
ìîäåëü ìåòàëëè÷åñêèõ êëàñòåðîâ êîòîðîãî ÿâëÿëàñü
ïåðåõîäíîé îò îäíîé ìîäåëè ê äðóãîé [2].
Äëÿ âñåõ îáðàçöîâ ìèíèìàëüíûé ðàçìåð ãðàíóë
(ïåðâàÿ âûáîðêà) èìåë çíà÷åíèå 0,2±0,1 ìêì è ñî-
âïàäàë ñî ñðåäíåé âåëè÷èíîé äèàìåòðà çåðåí èñõîä-
íîãî ìåëêîäèñïåðñíîãî ïîðîøêà ïðîâîäÿùåé ôàçû,
êîòîðûé áûë îáùèì ìàòåðèàëîì äëÿ âñåõ îáðàçöîâ
ïðè ìàêñèìàëüíîé äëèíå ïîðÿäêà 0,6 ìêì.
"Äëèííûå" ãðàíóëû (äî 2�3 ìêì) áûëè õàðàê-
òåðíû äëÿ íèçêîîìíûõ îáðàçöîâ (òðåòüÿ è ÷åòâåðòàÿ
âûáîðêè), äëÿ âûñîêîîìíûõ îáðàçöîâ èõ äëèíà
óìåíüøàëàñü ïðèìåðíî â äâà ðàçà. Ñðåäè âûñîêîîì-
Íîìåð âûáîðêè ρ ,
êÎì/ 1 2 3 4
Ñðåäíåå çíà÷åíèå (l±σ, N — âûáîðêà)
0,1 0,19±0,11
N=91
0,42±0,10
N=29
1,05±0,55
N=34 —
0,5 0,20±0,10
N=53
0,64±0,21
N=44
1,24±0,14
N=14
2,19±0,34
N=14
3 0,20±0,13
N=45
0,60±0,25
N=49 —
—
20 0,20±0,10
N=113
0,62±0,18
N=21 —
—
Ìàêñèìàëüíîå çíà÷åíèå (lmax+3σ)
0,1 0,52
(60%)
0,72
(19%) —
2,72
(21%)
0,5 0,50
(43%) —
1,28
(35%)
1,69
(11%)
3,35
(11%)
3 0,60
(48%) —
1,35 (52%)
—
20 0,50
(84%) —
1,16 (16%)
—
Òàáëèöà 1
Äëèíà ãðàíóë (ìêì) ñîãëàñíî âûáîðêàì îáùåãî
ðàñïðåäåëåíèÿ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 2
64
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
íûõ îáðàçöîâ ðàçëè÷èå íàáëþäàëîñü â áîëüøåé ñòå-
ïåíè íå â ÷èñëåííîì çíà÷åíèè ðàçìåðà ãðàíóë, à â
ïðåîáëàäàíèè äëÿ îáðàçöîâ ñ ρ =20 êÎì/ â îñíîâ-
íîì "ìåëêèõ" ÷àñòèö, â òî âðåìÿ êàê äëÿ îáðàçöîâ ñ
ρ =3 êÎì/ ãðàíóë ïåðâîé è âòîðîé âûáîðîê áûëî
ïðèìåðíî ðàâíîå êîëè÷åñòâî, à äëÿ ρ =50 êÎì/ ôóí-
êöèþ F(l) ìîæíî ïðèçíàòü îäíîìîäàëüíîé ñ âûñî-
êîé ñòåïåíüþ âåðîÿòíîñòè (Ð=0,865).
Ýòè âûâîäû îñòàþòñÿ ñïðàâåäëèâûìè è ïðè àíàëè-
çå F(S), äàííûõ â òàáë. 2. Îòëè÷èå æå ñëåäóåò èç òîãî
ôàêòà, ÷òî â êàæäîì îáðàçöå ïðèñóòñòâóþò îòäåëüíûå
"ñâåðõáîëüøèå" ãðàíóëû, íå âîøåäøèå íè â îäíó èç
ãàóññîâñêèõ âûáîðîê è îáîçíà÷åííûå â òàáë. 2 êàê
"åäèíè÷íûå"; èõ ïëîùàäü áûëà ïðèìåðíî ðàâíà ñóì-
ìàðíîé ïëîùàäè âñåõ "ìåëêèõ" ãðàíóë.
Èíòåðåñíûì ïðåäñòàâëÿåòñÿ ðàññìîòðåíèå òàáë. 3,
ãäå äàíû ìåæãðàíóëÿðíûå ðàññòîÿíèÿ (L�±σ), îïðå-
äåëÿþùèå ïðûæêîâóþ ïðîâîäèìîñòü â ÒÏÐ [6] è
Lmax=L�±3σ. Ìíîãîìîäàëüíîñòü îáùåé âûáîðêè òàê-
æå èìååò ìåñòî, îäíàêî ôîðìèðîâàíèå òàáëèöû ïî
àáñîëþòíîìó çíà÷åíèþ Lmax ïðèâîäèò ê áîëüøåìó
÷èñëó êîëîíîê (äî 6).
Ïðàêòè÷åñêàÿ çíà÷èìîñòü òàáëèöû â ÷àñòè Lmax ñî-
ñòîèò â òîì, ÷òî ïî íåé ìîæíî îïðåäåëèòü ìàêñè-
ìàëüíóþ âåëè÷èíó ìåæãðàíóëÿðíîãî ðàññòîÿíèÿ (àíà-
ëîã ñîïðîòèâëåíèÿ), ïðè êîòîðîé òîê ìåæäó ãðàíóëà-
ìè ïåðåñòàåò ïðîòåêàòü. Ýòî çíà÷åíèå îïðåäåëÿëîñü
ïî îáðàçöó ñ ìàêñèìàëüíûì óäåëüíûì ñîïðîòèâëå-
íèåì è ñîñòàâëÿëà Lmax>1 ìêì (0,98 ìêì). Äàííûå
òàáë. 3 òàêæå ÷èñëåííî ïîäòâåðæäàþò òîò ôàêò, ÷òî
ïëîòíîñòü ðàñïðåäåëåíèÿ ãðàíóë â íèçêîîìíûõ îáðàç-
öàõ ìàêñèìàëüíà, à â âûñîêîîìíûõ � ìèíèìàëüíà.
Êàê ñëåäóåò èç ýêñïåðèìåíòàëüíûõ äàííûõ, äîëÿ
ñóììàðíîé ïëîùàäè âñåõ ãðàíóë â ïëîùàäè ôðàã-
ìåíòîâ ìîäåëè ñîñòàâèëà 0,29, 0,19, 0,15 è 0,12 ñî-
îòâåòñòâåííî äëÿ ρ 0,1, 0,5, 3,0 è 20,0 êÎì/ . Ñðåä-
íÿÿ ïëîòíîñòü ðàñïðåäåëåíèÿ ãðàíóë, ïðîâåäåííàÿ ïî
îöåíêå óäåëüíîé ïëîùàäè, äëÿ íèçêîîìíûõ îáðàçöîâ
ñîñòàâèëà âåëè÷èíó 0,20±0,07, à äëÿ âûñîêîîìíûõ�
0,12±0,03.
Îòñþäà ìîæíî ñäåëàòü íåêîòîðûå âûâîäû.
1. Âïåðâûå ïî ñòðóêòóðíîé ìîäåëè ìåòàëëè÷åñ-
êèõ êëàñòåðîâ è êëàñòåðíîé ìîäåëè ýëåêòðè÷åñêèõ
ñâÿçåé èç ýêñïåðèìåíòàëüíûõ äàííûõ ðàññ÷èòàíî ÷èñ-
ëî âûáîðîê, êàæäîå èç êîòîðûõ ïîä÷èíÿåòñÿ çàêîíó
ðàñïðåäåëåíèÿ Ãàóññà.
2. ×èñëî âûáîðîê êîððåëèðóåò (÷åðåç ρ ) ñ âåëè-
÷èíîé êîíöåíòðàöèè ïðîâîäÿùåé ôàçû â èñõîäíîé ðå-
çèñòèâíîé ïàñòå â ðàâíîé ñòåïåíè äëÿ âñåõ èññëåäî-
âàííûõ ïàðàìåòðîâ (l, L, S), êðîìå d.
 òî æå âðåìÿ âûÿâëåííûå îòëè÷èÿ, õîòÿ è ÿâëÿ-
þòñÿ ñëåäñòâèåì "ðàçðåæåíèÿ" ñòðóêòóðû çà ñ÷åò
óìåíüøåíèÿ äîëè ïðîâîäÿùåé ôàçû â èñõîäíîé ðå-
çèñòèâíîé ïàñòå, òåì íå ìåíåå íå îáëàäàþò ñâîéñòâà-
ìè ñàìîïîäîáèÿ è ìàñøòàáíîé èíâàðèàíòíîñòüþ íà
ïîäîáèè ôðàêòàëüíûõ ñòðóêòóð. Ñâèäåòåëüñòâîì ýòîãî
ÿâëÿåòñÿ âïåðâûå âûÿâëåííûé äëÿ ÒÏÐ ìíîãîìîäàëü-
íûé õàðàêòåð ðàñïðåäåëåíèÿ äëèí ïðîâîäÿùèõ ãðà-
íóë îáùåé âûáîðêè ýêñïåðèìåíòàëüíûõ äàííûõ.
Òàêèì îáðàçîì, èç ïðîâåäåííîãî àíàëèçà ÷èñëåí-
íûõ çíà÷åíèé ïàðàìåòðîâ ìîäåëåé ìèêðîñòðóêòóðû ÒÏÐ
ñëåäóåò íåïðîòèâîðå÷èâîñòü â öåëîì âûÿâëåííûõ èç-
ìåíåíèé ôîðìû, ãåîìåòðèè è ðàñïðåäåëåíèÿ ìåòàëëè-
÷åñêèõ êëàñòåðîâ îò îáðàçöà ê îáðàçöó ïî ìåðå óìåíü-
øåíèÿ äîëè ïðîâîäÿùåé ôàçû â ñòåêëå. Ðàçìåùåíèå
ïðîâîäÿùèõ ÷àñòèö â ñòðóêòóðå èìååò ñòàòèñòè÷åñêè
âçàèìîçàâèñèìûé (ìíîãîìîäàëüíûé) õàðàêòåð.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Sterhova A. V., Ushakov P. A., Zharkov P. N. The procedure
determination of parameters of structural and claster models of
thick resistive films // Sci. and Techn. J. TDEE. � 2001. �
N. 1.� C. 39�43.
2. Ñòåðõîâà À. Â., Ñòûðîâ Ñ. Â. Ãåîìåòðè÷åñêîå ìîäåëè-
ðîâàíèå ìèêðîñòðóêòóðû ÒÐÏ â øèðîêîì äèàïàçîíå óäåëü-
íûõ ñîïðîòèâëåíèé // Òåç. äîêë. êîíô. "Ìèêðîýëåêòðîíèêà è
èíôîðìàòèêà-2001".� 2001.� Ìîñêâà, ÌÈÝÒ.� Ñ. 82.
3. Carcia P. F., Ferreti A. and Suna A. J. Particle size effects in
thick film resistors // Appl. Phys.� 1982.� Vol. 57.� N 7.�
P. 5282�5287.
4. Ito O., Asai T., Ogawe T. et al. Effect of conduction particle
size on LaB6 thick film resistor // Thin Solid Films.� 1991.�
Vol. 198.� P. 17�27.
5. Øêëîâñêèé Á. È. Êðèòè÷åñêîå ïîâåäåíèå êîýôôèöèåíòà
Õîëëà âáëèçè ïîðîãà ïðîòåêàíèÿ // ÆÝÒÔ.� 1977.� Ò. 72,
âûï. 1.� Ñ. 288�295.
6. Paszczynski S. On possibilities of synthesis of a useful
model of thick film components // Electron. Sci. Technol., Active
and Passive Elec. Comð.� 1985.� Vol. 12.� P. 71�89.
Òàáëèöà 2
Ïëîùàäü ãðàíóë (S±σ ìêì2) ñîãëàñíî âûáîð-
êàì îáùåãî ðàñïðåäåëåíèÿ
Íîìåð âûáîðêè ρ ,
êÎì/ 1 2 3 Åäèíè÷íûå
0,1 165±144
N=87
(3,8%)
870±290
N=25
(5,2%)
5400±640
N=28
(50,0%)
31500±66000
N=4 (42,0%)
0,5 108±72
N=69
(3,8%)
1050±300
N=44
(15,0%)
3180±165
N=19
(28,5%)
18540±27000
N=5 (52,9%)
3 180±126
N=40
(18,6 %)
—
2100±231
N=64
(82,0%)
14250±13400
N=2 (13,8%)
20 102±66
N=72
(11,1%)
384± 264
N=67
(39,0%)
—
3720±10000
N=11 (50,0%)
Íîìåð âûáîðêè ρ ,
êÎì/ 1 2 3 4 5 6
Ñðåäíÿÿ âåëè÷èíà (l±σ)
0,1 0,21±0,13
N=80
0,53±0,14
N=64
0,87±0,15
N=32
2,01±0,75
N=46 —
—
0,5 0,20±0,11
N=123
0,50±0,12
N=56
0,92±0,16
N=87
1,46±0,90
N=13 —
—
3 0,23±0,13
N=50
0,67±0,16
N=58 —
1,75±1,01
N=77 —
—
20 0,28±0,23
N=89 —
—
1,94±1,39
N=142 —
—
Ìàêñèìàëüíàÿ âåëè÷èíà (Lmax=L+σ)
0,1 0,60
(36%)
0,98
(28%)
1,32
(14%)
2,61
(22%) —
—
0,5 0,53
(44%)
0,84
(20%)
1,38
(31%)
2,06
(5%) —
—
3 0,62
(27%) —
1,13
(31%) —
4,78
(36%) —
20
—
0,98
(38%) —
—
—
6,10
(62%)
Òàáëèöà 3
Ìåæãðàíóëÿðíîå ðàññòîÿíèå (ìêì)
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70746 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:32:26Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Стерхова, А.В. 2014-11-11T20:07:06Z 2014-11-11T20:07:06Z 2002 Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок / А.В. Стерхова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 2. — С. 63-64. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70746 621.315.616 Проанализированы сходства и различия размерно-геометрических параметров моделей микроструктуры серебро-палладиевых толстопленочных резисторов (ТПР). Впервые по структурной модели металлических кластеров и кластерной модели электрических связей на основе экспериментальных данных оценено число выборок гауссовского нормального рапределения для длины и площади проводящих гранул и межгранулярного расстояния в широком диапазоне удельных сопротивлений толстопленочных резисторов. Результаты работы использованы при исследовании процессов протекания тока в ТПР. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок Article published earlier |
| spellingShingle | Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок Стерхова, А.В. Материалы электроники |
| title | Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок |
| title_full | Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок |
| title_fullStr | Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок |
| title_full_unstemmed | Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок |
| title_short | Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок |
| title_sort | размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70746 |
| work_keys_str_mv | AT sterhovaav razmernogeometričeskieparametrymodeleimikrostrukturytolstyhrezistivnyhplenok |