Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2002
• Hauptverfasser: Косяченко, Л.А., Марков, А.В., Остапов, С.Э., Раренко, И.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Schlagworte: Материалы для микроэлектроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70766
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результаты могут быть использованы для расчетов параметров детекторов инфракрасного излучения в диапазонах 3—5 и 8—14 мкм. The Poisson equation for Schottky barrier has been solved by numerical methods, and the peculiarities of distribution of space charge, field strength and potential have been considered. It has been shown that with the band-gap narrowing the influence of free carriers on distribution of space charge is essential that leads to departure of the relation-ship of potential from the quadratic law and field strength from linear one. The results can be used for analysis of the characteristics of IR detectors for the 3-5 and 8-14 mm spectral regions.