Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результа...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70766 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862537440669990912 |
|---|---|
| author | Косяченко, Л.А. Марков, А.В. Остапов, С.Э. Раренко, И.М. |
| author_facet | Косяченко, Л.А. Марков, А.В. Остапов, С.Э. Раренко, И.М. |
| citation_txt | Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результаты могут быть использованы для расчетов параметров детекторов инфракрасного излучения в диапазонах 3—5 и 8—14 мкм.
The Poisson equation for Schottky barrier has been solved by numerical methods, and the peculiarities of distribution of space charge, field strength and potential have been considered. It has been shown that with the band-gap narrowing the influence of free carriers on distribution of space charge is essential that leads to departure of the relation-ship of potential from the quadratic law and field strength from linear one. The results can be used for analysis of the characteristics of IR detectors for the 3-5 and 8-14 mm spectral regions.
|
| first_indexed | 2025-11-24T11:41:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70766 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T11:41:39Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Косяченко, Л.А. Марков, А.В. Остапов, С.Э. Раренко, И.М. 2014-11-12T07:43:37Z 2014-11-12T07:43:37Z 2002 Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70766 546.711.49 Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результаты могут быть использованы для расчетов параметров детекторов инфракрасного излучения в диапазонах 3—5 и 8—14 мкм. The Poisson equation for Schottky barrier has been solved by numerical methods, and the peculiarities of distribution of space charge, field strength and potential have been considered. It has been shown that with the band-gap narrowing the influence of free carriers on distribution of space charge is essential that leads to departure of the relation-ship of potential from the quadratic law and field strength from linear one. The results can be used for analysis of the characteristics of IR detectors for the 3-5 and 8-14 mm spectral regions. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" Investigations of metal-semiconductor contact on the base of HgMnTe Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" Косяченко, Л.А. Марков, А.В. Остапов, С.Э. Раренко, И.М. Материалы для микроэлектроники |
| title | Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" |
| title_alt | Investigations of metal-semiconductor contact on the base of HgMnTe |
| title_full | Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" |
| title_fullStr | Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" |
| title_full_unstemmed | Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" |
| title_short | Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" |
| title_sort | исследование контакта "металл—полупроводник на основе нgmnte" |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70766 |
| work_keys_str_mv | AT kosâčenkola issledovaniekontaktametallpoluprovodniknaosnovengmnte AT markovav issledovaniekontaktametallpoluprovodniknaosnovengmnte AT ostapovsé issledovaniekontaktametallpoluprovodniknaosnovengmnte AT rarenkoim issledovaniekontaktametallpoluprovodniknaosnovengmnte AT kosâčenkola investigationsofmetalsemiconductorcontactonthebaseofhgmnte AT markovav investigationsofmetalsemiconductorcontactonthebaseofhgmnte AT ostapovsé investigationsofmetalsemiconductorcontactonthebaseofhgmnte AT rarenkoim investigationsofmetalsemiconductorcontactonthebaseofhgmnte |