Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результа...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автори: | Косяченко, Л.А., Марков, А.В., Остапов, С.Э., Раренко, И.М. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70766 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл
за авторством: Ильченко, Л.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ильченко, Л.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Фазовые переходы полупроводник–металл
за авторством: Таран, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Таран, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2004)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Токопроводящий клей на основе порошка меди
за авторством: Каркина, Е.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Каркина, Е.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
за авторством: Будянский, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Будянский, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
за авторством: Дудник, С.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Дудник, С.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
за авторством: Дунаенко, А.Х., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Дунаенко, А.Х., та інші
Опубліковано: (2003)
Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
за авторством: Савицкий, Г.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Савицкий, Г.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Диодные реакторные системы микротравления
за авторством: Фареник, В.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Фареник, В.И.
Опубліковано: (2002)
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
за авторством: Матюшин, В.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Матюшин, В.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
за авторством: Matyushin, V. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Matyushin, V. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник
за авторством: Белецкий, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Белецкий, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Поверхностные магнитоплазменные волны на границе ферродиэлектрик-полупроводник
за авторством: Фалько, В.Л., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Фалько, В.Л., та інші
Опубліковано: (1999)
Неравновесные процессы на контакте полупроводник – плазма газового разряда
за авторством: Хайдаров, З.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Хайдаров, З.
Опубліковано: (2018)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Метод "прозрачной стенки'' для контроля лучистых потоков различной мощности
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1999)
Координатно-чувствительный анизотропный датчик лазерного излучения
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1998)
Взаимодействие частиц износа инструмента с частицами шлама в зоне контакта при полировании кварца
за авторством: Филатов, Ю.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Филатов, Ю.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Лугин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Лугин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
Схожі ресурси
-
О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл
за авторством: Ильченко, Л.Г., та інші
Опубліковано: (2011) -
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004) -
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)