Cover Image

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"

Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результа...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2002
ISSN:2225-5818
Main Authors: Косяченко, Л.А., Марков, А.В., Остапов, С.Э., Раренко, И.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Subjects:
Материалы для микроэлектроники
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70766
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items